[发明专利]一种低温多晶硅阵列基板的制程方法以及低温多晶硅薄膜晶体管的制程方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种低温多晶硅阵列基板的制程方法以及低温多晶硅薄膜晶体管的制程方法。

背景技术

在显示面板的制作过程中，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术因具有高迁移率、低成本等优点逐渐占领了中小尺寸显示屏幕的市场。

目前，LTPS技术在制程方法中，需经过氢化和活化处理的步骤，使得LIPS技术所制作的产品只能使用钼等熔点较高的金属材料，而钼等熔点高的金属材料的阻值较高。

本申请的发明人在长期的研发过程中，发现LTPS技术的制程方法中，氢化和活化处理的步骤中，温度大于等于500摄氏度，使得LIPS 技术只能采用熔点较高的金属材料，无法满足大尺寸屏幕的需求，从而 LTPS技术无法应用至大尺寸显示屏幕的制作工艺中。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种低温多晶硅阵列基板的制程方法以及低温多晶硅薄膜晶体管的制程方法，能够将熔点较低的金属材料应用至LTPS技术中，使得大尺寸屏幕可以采用LTPS技术制作，从而大尺寸屏幕同样具有高迁移率以及低成本的优点。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon)阵列基板的制程方法，所述低温多晶硅阵列基板包括像素区域和驱动区域，其中，所述像素区域包括多个阵列排列的像素，且每个像素包括一个对应的第一类型薄膜晶体管和一个对应的像素电极；而所述驱动区域包括CMOS电路所组成的驱动电路，每个CMOS电路包括一个第一类型薄膜晶体管和一个第二类型薄膜晶体管，其中，所述制程方法包括：

提供基板；

在所述基板上形成多晶硅半导体图案，其中，对应于所述第一类型薄膜晶体管的所述多晶硅半导体图案中形成有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；

形成栅极绝缘层；

进行活性处理；

经过活性处理后，在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述栅极绝缘层和所述栅极上形成层间绝缘层；

进行氢化处理；

经过氢化处理后，在所述层间绝缘层上形成源/漏极图案，且使所述源/漏极图案分别通过通孔与所述多晶硅半导体图案中的所述源极区域和所述漏极区域相连。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon)薄膜晶体管的制程方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成多晶硅半导体层，其中，形成的所述多晶硅半导体层中形成有沟道区域、源极区域和漏极区域；

形成栅极绝缘层；

进行活性处理；

经过活性处理后，在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述栅极绝缘层和所述栅极上形成层间绝缘层；

经过氢化处理；

经过氢化处理后，在所述层间绝缘层上形成源/漏极，且使所述源/ 漏极分别通过通孔与所述多晶硅半导体层中的所述源极区域和所述漏极区域相连。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon)阵列基板的制程方法，所述低温多晶硅阵列基板包括像素区域和驱动区域，其中，所述像素区域包括多个阵列排列的像素，且每个像素包括一个对应的第一类型薄膜晶体管和一个对应的像素电极；而所述驱动区域包括CMOS电路所组成的驱动电路，每个CMOS电路包括一个第一类型薄膜晶体管和一个第二类型薄膜晶体管，所述制程方法包括：提供基板；在所述基板上形成多晶硅半导体图案，其中，对应于所述第一类型薄膜晶体管的所述多晶硅半导体图案中形成有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；形成栅极绝缘层；进行活性处理；经过活性处理后，在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极绝缘层和所述栅极上形成层间绝缘层；进行氢化处理；经过氢化处理后，在所述层间绝缘层上形成源/漏极图案，且使所述源/漏极图案分别通过通孔与所述多晶硅半导体图案中的所述源极区域和所述漏极区域相连。本发明提供的制程方法，经过活性处理后，在栅极绝缘层上形成栅极，进行氢化处理，如此，活性处理与氢化处理分开进行，氢化处理的温度可低于活性处理的温度，且活化处理在形成栅极的步骤之前进行。在该制程方法中，栅极的材料的选择不仅限于熔点较高的钼等金属材料，还可以为熔点较低的钛、铝、铜等金属材料，如此，LTPS 技术可以应用至大尺寸屏幕的制程方法中，使得大尺寸屏幕在保证品质的同时，还具有高迁移率、低成本的优点。