[发明专利]一种实现自身静电放电保护的高压器件

权利要求书

1.一种实现自身静电放电保护的高压器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底中的第一N-阱、P-阱和第二N-阱，其中所述第一N-阱和所述第二N-阱深度相同，所述P-阱的深度小于所述第一N-阱的深度，且所述第一N-阱和所述第二N-阱之间存在间距；

形成于所述第一N-阱中的第一N+离子注入区和第一隔离区；

形成于所述P-阱中的第二N+离子注入区和紧贴所述第二N+离子注入区的P+离子注入区；

形成于所述第二N-阱中的第三N+离子注入区；

形成于所述半导体衬底中的第二隔离区，所述第二隔离区覆盖部分所述第二N-阱和部分所述P-阱，其中，所述第二N+离子注入区、所述P+离子注入区和所述第三N+离子注入区构成NPN型BJT，通过所述BJT实现所述静电放电保护，且通过调整所述第一N-阱和所述第二N-阱之间的间距的大小来实现不同电压的静电放电保护。

2.根据权利要求1所述的高压器件，其特征在于，所述第二N+离子注入区作为所述BJT的集电极，所述P+离子注入区作为所述BJT的基极，所述第三N+离子注入区作为所述BJT的发射极。

3.根据权利要求1所述的高压器件，其特征在于，所述第一N-阱和所述第二N-阱同时形成。

4.根据权利要求1所述的高压器件，其特征在于，调整所述间距的大小时保证所述P-阱的下方形成有部分所述第二N-阱。

5.根据权利要求1所述的高压器件，其特征在于，所述第一N+离子注入区作为所述高压器件的漏极，所述第二N+离子注入区作为所述高压器件的源极。

6.根据权利要求1所述的高压器件，其特征在于，静电放电引发的电流从所述第一N+离子注入区经由所述第一N-阱和所述第二N-阱流向所述第三N+离子注入区。

7.根据权利要求6所述的高压器件，其特征在于，通过调整所述第一N-阱和所述第二N-阱之间的间距的大小先触发所述BJT，完成对所述高压器件的静电放电保护。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的高压器件，其特征在于，还包括形成在所述半导体衬底上的栅极，所述栅极覆盖部分所述P-阱、部分所述第一N-阱和部分所述第一隔离区。