[发明专利]包括多个平面的非易失性存储器件

说明书

包括多个平面的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件包括：在基板上方沿第一方向布置的多条位线；设置在基板与多条位线之间并且包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的多个平面的存储单元阵列；设置在基板与存储单元阵列之间的多个页面缓冲电路；设置在页面缓冲电路与存储单元阵列之间并且适于将多条位线与多个页面缓冲电路电联接的多个接触焊盘；以及设置在与多个接触焊盘相同的层处并且沿第二方向延伸的多条路由线，其中，多个接触焊盘被设置为分布成与沿第二方向布置的至少两条线交叠，并且多条路由线被形成为弯曲图案以在被设置为与不同的线交叠的接触焊盘之间穿过。

技术领域

各实施方式总体上涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括多个平面的非易失性存储器件。

背景技术

半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体实现的存储器件。半导体存储器件通常可分为易失性存储器件或非易失性存储器件。

易失性存储器件是当电源中断时存储的数据被去除的存储器件。易失性存储器件的示例包括SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存储器件是即使在电源中断时仍保留存储在其中的数据的存储器件。非易失性存储器件的示例包括ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、FLASH存储器、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁RAM)、RRAM(电阻式RAM)和FRAM(铁电RAM)。

发明内容

在一个实施方式中，一种非易失性存储器件可以包括：多条位线，所述多条位线在基板上方沿第一方向布置；存储单元阵列，所述存储单元阵列设置在所述基板与所述多条位线之间并且包括沿与所述第一方向垂直的第二方向布置的多个平面；多个页面缓冲电路(page buffer circuit)，所述多个页面缓冲电路设置在所述基板与所述存储单元阵列之间；多个接触焊盘，所述多个接触焊盘设置在所述页面缓冲电路与所述存储单元阵列之间并且适于将所述多条位线与所述多个页面缓冲电路电联接；以及多条路由线(routingline)，所述多条路由线设置在与所述多个接触焊盘相同的层处，所述多条路由线沿所述第二方向延伸，其中，所述多个接触焊盘被设置为分布成与沿所述第二方向布置的至少两条线交叠，并且所述多条路由线被形成为弯曲图案，以在被设置为与不同的线交叠的接触焊盘之间穿过。

在一个实施方式中，一种非易失性存储器件可以包括：多条位线，所述多条位线在基板上方沿第一方向布置；存储单元阵列，所述存储单元阵列设置在所述基板与所述多条位线之间，并且包括沿与所述第一方向垂直的第二方向布置的多条单元选通线和多条介电线(dielectric line)；页面缓冲电路，所述页面缓冲电路设置在所述基板与所述存储单元阵列之间；多个接触焊盘，所述多个接触焊盘设置在所述页面缓冲电路与所述存储单元阵列之间，并且适于将所述页面缓冲电路与所述多条位线电联接；以及多条路由线，所述多条路由线设置在与所述多个接触焊盘相同的层处，并沿所述第二方向延伸，其中，所述多个接触焊盘被设置为分布成与所述多条介电线中的至少两条交叠，并且所述多条路由线被形成为弯曲图案，以在与不同介电线交叠的接触焊盘之间穿过。

在一个实施方式中，一种非易失性存储器件可以包括：多条位线，所述多条位线在基板上方沿第一方向布置；存储单元阵列，所述存储单元阵列设置在所述基板与所述多条位线之间，并且包括沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向布置的多个平面；多个页面缓冲电路，所述多个页面缓冲电路设置在所述基板与所述存储单元阵列之间；多个接触焊盘，所述多个接触焊盘设置在所述多个页面缓冲电路与所述存储单元阵列之间，并且适于将所述多条位线和所述多个页面缓冲电路电联接；以及多条路由线，所述多条路由线设置在与所述多个接触焊盘相同的层处，并沿所述第二方向延伸，其中，所述多个接触焊盘被设置为分布成与沿所述第二方向布置的至少两条线交叠，并且其中，所述多条路由线被形成为弯曲图案，以在被设置为与不同线交叠的接触焊盘之间穿过。

附图说明