[发明专利]IGZO膜层的蚀刻液及其蚀刻方法有效
| 申请号： | 201710662486.9 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107564809B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 甘启明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/06 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igzo 蚀刻 及其 方法 | ||
1.一种IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，包含酸、磷酸盐、过氧化氢、及水；所述IGZO膜层的蚀刻液的pH值不超过5；
所述IGZO膜层的蚀刻液中，所述酸的质量百分比为2％-5％，所述磷酸盐的质量百分比为5％-10％，所述过氧化氢的质量百分比为15％-22％，水为余量。
2.如权利要求1所述的IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，所述酸为无机酸和有机酸的混合酸。
3.如权利要求2所述的IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，所述无机酸为磷酸，所述有机酸选自醋酸、乙二酸、及草酸中的至少一种。
4.如权利要求1所述的IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，所述磷酸盐为磷酸二氢盐和磷酸氢盐中的至少一种。
5.如权利要求4所述的IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，所述磷酸二氢盐为磷酸二氢钠；所述磷酸氢盐为磷酸氢二钠。
6.如权利要求1所述的IGZO膜层的蚀刻液，其特征在于，所述IGZO膜层的蚀刻液的pH值为3-5。
7.一种IGZO膜层的蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：将IGZO膜层与如权利要求1-6中任一项所述的IGZO膜层的蚀刻液接触。
8.如权利要求7所述的IGZO膜层的蚀刻方法，其特征在于，所述的IGZO膜层的蚀刻液的温度为20℃-45℃。
9.如权利要求7所述的IGZO膜层的蚀刻方法，其特征在于，用于对IGZO膜层进行图案化处理，得到IGZO图形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
