[发明专利]IGZO膜层的蚀刻液及其蚀刻方法

说明书

本发明提供一种IGZO膜层的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的IGZO膜层的蚀刻液包含酸、磷酸盐、过氧化氢、及水，且该蚀刻液的pH值不超过5，可以有效控制蚀刻的速率，使蚀刻的速率均匀，能够稳定的蚀刻IGZO膜层，同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质，从而可有效提高IGZO‑TFT器件的稳定性。本发明的IGZO膜层的蚀刻方法采用上述的IGZO膜层的蚀刻液，可以有效控制蚀刻的速率，使蚀刻的速率均匀，能够稳定地蚀刻IGZO膜层，同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质，从而可有效提高IGZO‑TFT器件的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示面板的生产领域，尤其涉及一种IGZO膜层的蚀刻液及其蚀刻方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示屏逐渐往大尺寸高分辨率的方向发展，这就代表着对像素的充电时间也越来越短，而对于像素充电起至关重要作用的是显示屏内的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。而TFT的特性又很大程度由有源层的性质所决定。传统的TFT器件通常采用非晶硅(a-Si，AS)作为有源层。AS-TFT器件由于发展已久，器件特性稳定，但是AS的迁移率低下，在高分辨率及高刷新频率的发展趋势下，就逐渐失去了原有的优势。另一种半导体材料铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)由于具有高迁移率、适用于大面积生产等优势而为人们所推崇，成为目前薄膜晶体管技术领域内的研究热点。IGZO有着比AS大的迁移率，从而可以使TFT有更快的充电速率，而且可以将TFT做的更小，进一步提升像素开口率，降低背光消耗，另一方面，IGZO-TFT器件本身漏电流就小，对于液晶面板本身的功耗而言也是一个益处。

但是当前IGZO-TFT器件的稳定性还有待提高，IGZO有源层对于工艺和环境非常敏感，很容易受到光照、温度等的影响，同时，其受制程的影响也很大，如IGZO制程的Q-time(完成IGZO制程至下一站点的时间差)，在IGZO当道制程，受IGZO蚀刻液的影响特别大，如蚀刻液本身的蚀刻均匀性、蚀刻液是否会引入一些导电杂质等，极大影响了IGZO-TFT器件的稳定性，如导致IGZO Vth(开启电压)漂移或漏电流异常等。

发明内容

本发明的目的在于提供一种IGZO膜层的蚀刻液，可以有效控制蚀刻的速率，使蚀刻的速率均匀，能够稳定地蚀刻IGZO膜层，同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质，从而提高IGZO-TFT器件的稳定性。

本发明的目的还在于提供一种IGZO膜层的蚀刻方法，采用上述的IGZO膜层的蚀刻液，可以有效控制蚀刻的速率，使蚀刻的速率均匀，能够稳定地蚀刻IGZO膜层，同时又不会引入一些影响IGZO电性的杂质，从而提高IGZO-TFT器件的稳定性。

为实现上述目的，本发明提供了一种IGZO膜层的蚀刻液，包含酸、磷酸盐、过氧化氢、及水；所述IGZO膜层的蚀刻液的pH值不超过5。

所述IGZO膜层的蚀刻液中，所述酸的质量百分比为2％-5％，所述磷酸盐的质量百分比为5％-10％，所述过氧化氢的质量百分比为15％-22％，水为余量。

所述酸为无机酸和有机酸的混合酸。

所述无机酸为磷酸，所述有机酸选自醋酸、乙二酸、及草酸中的至少一种。

所述磷酸盐为磷酸二氢盐和磷酸氢盐中的至少一种。

所述磷酸二氢盐为磷酸二氢钠；所述磷酸氢盐为磷酸氢二钠。

所述IGZO膜层的蚀刻液的pH值为3-5。

本发明还提供一种IGZO膜层的蚀刻方法，包括步骤：将IGZO膜层与如上所述的IGZO膜层的蚀刻液接触。

所述的IGZO膜层的蚀刻液的温度为20℃-45℃。

所述的IGZO膜层的蚀刻方法，用于对IGZO膜层进行图案化处理，得到IGZO图形。