[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 201710664688.7 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107946277B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;施应庆;王卜;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其包括：
底部封装，其包含：
模塑料；
贯穿通路，其穿透所述模塑料；
裸片，其模制在所述模塑料中；以及
导体，其在所述贯穿通路上；
其中在所述导体被定位的侧处，所述贯穿通路与所述模塑料之间的步阶高度小于约1微米，所述导体与所述贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积，且所述贯穿通路在所述导体被定位的侧处的表面为完整的晶种层沉积面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
顶部封装，其在所述底部封装上方且透过所述导体接合至所述底部封装；以及
底部填充胶，其在所述顶部封装与所述底部封装之间；
其中所述底部填充胶与所述模塑料物理接触。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述底部封装进一步包含：
粘着层，其在所述裸片上方。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述粘着层在所述模塑料中，且所述粘着层的顶部表面与所述底部填充胶物理接触。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述贯穿通路包含晶种层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述贯穿通路进一步包含金属构件。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述晶种层的顶部表面完全与所述导体物理接触。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述晶种层从邻近的所述模塑料突出小于约1微米。
9.一种半导体装置，其包括：
底部封装，其包含：
模塑料；
贯穿通路，其穿透所述模塑料；以及
裸片，其模制在所述模塑料中；
导体，其在所述贯穿通路上；
顶部封装，其在所述底部封装上方且透过所述导体接合至所述底部封装；以及
底部填充胶，其在所述顶部封装与所述底部封装之间；
其中所述贯穿通路在形成所述导体的侧处从所述模塑料突出小于约1微米，且所述贯穿通路在形成所述导体的侧处的表面为完整的晶种层沉积面。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述底部填充胶与所述模塑料物理接触。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中在所述导体与所述贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积。
12.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述底部封装进一步包含：
粘着层，其在所述裸片上方。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述粘着层在所述模塑料中，且所述粘着层的顶部表面与所述底部填充胶物理接触。
14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述贯穿通路包含晶种层。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述贯穿通路进一步包含金属构件。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中所述晶种层的顶部表面完全与所述导体物理接触。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中所述晶种层的所述顶部表面与邻近的所述模塑料之间的步阶高度小于约1微米。
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