[发明专利]半导体装置以及半导体装置制造方法

说明书

本揭露提供一种半导体装置以及半导体装置制造方法。所述半导体装置包含：底部封装，其中在导体与贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积，且所述底部封装包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其模制在所述模塑料中；和导体，其在所述贯穿通路上。本揭露还揭示一种制造半导体装置的相关联方法。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置以及半导体装置制造方法。

背景技术

随着半导体技术的演变，半导体芯片/裸片逐渐变小。同时，需将更多功能集成到半导体裸片中。相应地，半导体裸片需将更多数目个I/O垫封装到更小区中，且I/O垫的密度随时间而快速上升。因此，半导体裸片的封装变得更加困难，此负面影响封装的良率。如何降低生产复杂性和封装成本已成为所述领域亟待解决的问题。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体装置包括底部封装，所述底部封装包含：模塑料；贯穿通路，其穿透所述模塑料；裸片，其在所述模塑料中模制；和导体，其在所述贯穿通路上；其中在所述导体与所述贯穿通路之间的接触表面积大体上等于所述贯穿通路的横截面积。

根据本发明的实施例，一种半导体装置包括：底部封装，其包含模塑料、穿透所述模塑料的贯穿通路和在所述模塑料中模制的裸片；导体，其在所述贯穿通路上；顶部封装，其在所述底部封装上方且通过所述导体接合到所述底部封装；和底胶填充，其在所述顶部封装与所述底部封装之间；其中所述贯穿通路在形成所述导体的一侧处从所述模塑料突出小于约1微米。

根据本发明的实施例，一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供载体；在所述载体上形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成贯穿通路；在所述牺牲层上放置裸片；在所述牺牲层上形成模塑料以填充所述裸片与所述贯穿通路之间的间隙；在所述裸片、所述贯穿通路和所述模塑料上方形成重布层；去除所述载体和所述牺牲层以暴露所述贯穿通路和所述模塑料的一个末端；在所述贯穿通路的所述末端上放置导体；和放置底胶填充以围绕所述导体，其中所述底胶填充与所述模塑料物理接触。

附图说明

在结合附图阅读时，可从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据产业中的标准实践，各个构件不按比例绘制。实际上，为了清楚论述，可任意增大或减小各个构件的尺寸。

图1到图13是根据一些示范性实施例的封装结构的制造中的中间阶段的横截面图；

图14是根据本揭露的实施例的图12的区A的放大图；以及

图15是根据本揭露的实施例的图13的区B的放大图。

具体实施方式

下列揭露内容提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不旨在限制。举例来说，在下列描述中的第一构件形成于第二构件上方或上可包括其中所述第一构件和所述第二构件经形成直接接触的实施例，且也可包括其中额外构件可形成在所述第一构件与所述第二构件之间，使得所述第一构件和所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复参考符号和/或字母。此重复是用于简化和清楚的目的且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为便于描述，可在本文中使用空间相对术语(例如，“在......下方”、“在......下”、“下”、“在......上”、“上”和类似者)以描述一个元件或构件与另一(若干)元件或构件的关系，如图中所展示。空间相对术语旨在涵盖除在图中描绘的定向以外的在使用或操作中的装置的不同定向。装备可经另外定向(旋转90度或以其它定向)，且因此可同样解释本文中所使用的空间相对描述符。