[发明专利]双环路滤波的锁相环电路在审

专利信息
申请号: 201710665531.6 申请日: 2017-08-07
公开(公告)号: CN107508597A 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 李天望;姜黎;袁涛;万鹏 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: H03L7/085 分类号: H03L7/085;H03L7/093;H03L7/18
代理公司: 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司43216 代理人: 刘伟
地址: 410125 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 环路 滤波 锁相环 电路
【权利要求书】:

1.一种双环路滤波的锁相环电路,其特征在于:包括依次串联形成回路的鉴相器、双路电荷泵及环路滤波单元、电压电流转换及电流加法电路单元、电流控制振荡器及分频器;

所述鉴相器的输入端连接至参考时钟信号端;

所述电压电流转换及电流加法电路单元用于将所述双路电荷泵及环路滤波单元输出的控制电压转换为电流;

所述分频器的输出端连接至所述鉴相器的反馈输入端。

2.根据权利要求1所述的双环路滤波的锁相环电路,其特征在于,所述双路电荷泵及环路滤波单元包括相互形成并联连接的第一环路单元和第二环路单元;

所述第一环路单元包括第一电流源、第二电流源、第一电容、第一电阻和第一输出控制端;

所述第一电流源的一端连接至电源电压,所述第一电流源的另一端通过一选择开关连接至所述第一输出控制端,所述鉴相器的上升脉冲信号输出端控制该选择开关的控制端实现导通或断开;

所述第二电流源的一端通过一选择开关连接至所述第一输出控制端,所述第二电流源的另一端连接至接地,所述鉴相器的下降脉冲信号输出端控制该选择开关的控制端实现导通或断开;

所述第一电容与所述第一电阻形成并联,其一端连接至所述第一输出控制端,其另一端连接至接地;

所述第二环路单元包括第三电流源、第四电流源、第二电容和第二输控制出端;

所述第三电流源的一端连接至电源电压,所述第三电流源的另一端通过一选择开关连接至所述第二输出控制端,所述鉴相器的上升脉冲信号输出端控制该选择开关的控制端实现导通或断开;

所述第四电流源的一端通过一选择开关连接至所述第二输出控制端,所述第四电流源的另一端连接至接地,所述鉴相器的下降脉冲信号输出端控制该选择开关的控制端实现导通或断开;

所述第二电容一端连接至所述第二输出控制端,另一端连接至接地;

所述第一输出控制端和所述第二输出控制端分别连接至所述电压电流转换及电流加法电路单元。

3.根据权利要求2所述的双环路滤波的锁相环电路,其特征在于,所述第一电流源和所述第二电流源的电流大小相同,所述第三电流源和所述第四电流源的电流大小相同,所述第一电流源的电流为所述第三电流源的电流大小的数倍。

4.根据权利要求2所述的双环路滤波的锁相环电路,其特征在于,所述电压电流转换及电流加法电路单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第二电阻及第三电阻;

所述第一晶体管的栅极连接至所述第一输出控制端作为输入,所述第一晶体管的源极通过串接所述第二电阻连接至接地,所述第一晶体管的漏极连接至所述第三晶体管的漏极;

所述第二晶体管的栅极连接至所述第二输出控制端作为输入,所述第二晶体管的源极通过串接所述第三电阻连接至接地,所述第二晶体管的漏极连接至所述第四晶体管的漏极;

所述第三晶体管的栅极连接至所述第五晶体管的栅极,所述第三晶体管的源极连接至电源电压,所述第三晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的栅极;

所述第四晶体管的栅极连接至所述第六晶体管的栅极,所述第四晶体管的源极连接至电源电压,所述第四晶体管的漏极连接至所述第四晶体管的栅极;

所述第五晶体管的源极连接至电源电压,所述第五晶体管的漏极连接至所述第六晶体管的漏极;

所述第六晶体管的源极连接至电源电压,所述第六晶体管的漏极连接至所述第七晶体管的漏极;

所述第七晶体管的栅极作为输出连接至所述电流控制振荡器,所述第七晶体管的源极连接至接地,所述第七晶管的漏极连接至所述第七晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的双环路滤波的锁相环电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第七晶体管均为NMOS晶体管;所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管及所述第六晶体管均为PMOS晶体管。

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