[发明专利]微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃

权利要求书

1.一种微晶玻璃化学机械抛光方法，其特征在于，包括：

(1)采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃；

(2)采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对所述粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃；

(3)采用碱性清洗液对所述精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃；

(4)采用去离子水对所述兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃；

(5)对所述超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃，

其中，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的浓度为5～15wt％，所述氧化铈抛光液的流量为50-500ml/min；

所述SUBA系列抛光垫的邵氏硬度为60-80，所述粗抛光的压力为0.5-10psi，时间为20-40min。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的粒度为0.4～1.0微米。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的粒度为0.7微米，浓度为10wt％。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述粗抛光中抛光头和抛光盘的转速分别独立的为10-100r/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述硅溶胶碱性抛光液的粒度为35-45纳米。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述硅溶胶碱性抛光液的流量为50-500ml/min。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述精抛光的压力为0.5-10psi，时间为5-30min。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述精抛光中抛光头和抛光盘的转速分别独立的为10-100r/min。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述碱性清洗液为pH为9.0-10.0的FA/O清洗液。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述碱性清洗液的浓度为2-10wt％。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述兆声清洗中兆声波的功率为100-600W，时间为500-1000s。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述超声清洗中超声波的功率为100-600W，时间为500-1000s。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述干燥处理为高温氮气干燥处理。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述干燥处理的温度为60-90摄氏度，时间为500-1000s。

15.一种微晶玻璃，其特征在于，所述微晶玻璃是采用权利要求1-14中任一项所述的微晶玻璃化学机械抛光方法处理得到的。