[发明专利]微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃

说明书

本发明公开了一种微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃，该方法包括：(1)采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃；(2)采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃；(3)采用碱性清洗液对精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃；(4)采用去离子水对兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃；(5)对超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃。采用该方法可以显著提高抛光效率，并且可以加工出粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

技术领域

本发明属于玻璃抛光领域，具体而言，本发明涉及微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃。

背景技术

传统的玻璃抛光工艺，即用金刚石散粒磨料在铸铁盘上分工序对基片进行机械研磨达到一定的面形和厚度公差，然后采用古典抛光法或传统的两级抛光法进行抛光。古典抛光法为在抛光沥青盘上用氧化铈和氧化铁进行抛光，最终达到一定的面形精度和表面粗糙度，该方法工作繁琐且人为因素占主导，抛光的效率不高，且所得的抛光表面的粗糙度一般都在纳米量级；传统的两级抛光方法为：一级抛光用硬抛光垫，选择常用的合成革或者聚氨酯抛光垫；二级抛光用软抛光垫，也采用应用非常广泛的无纺布或者绒毛抛光垫。该方法因采用常规的无纺布或者绒毛抛光垫，在抛光过程中抛光垫会有碎屑掉落，容易对样品划伤或造成其他缺陷，且抛光时间较长，一般在一小时以上，去除速率慢，加工效率低。

因此，现有玻璃抛光的工艺有待进一步改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃。采用该方法可以显著提高抛光效率，并且可以加工出粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种微晶玻璃化学机械抛光方法，根据本发明的实施例，该方法包括：

(1)采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃；

(2)采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对所述粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃；

(3)采用碱性清洗液对所述精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃；

(4)采用去离子水对所述兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃；

(5)对所述超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃。

根据本发明实施例的微晶玻璃化学机械抛光方法通过采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液组合进行粗抛光，然后采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液组合进行精抛光，其中精抛光过程中的IC系列软抛光垫因其独特的垂直取向空隙结构，可使其在压缩时瞬间恢复，同时可以增加硅溶胶碱性抛光液的流动能力，进而可以获得光滑的玻璃表面。由此，采用该方法既可提高抛光的效率，同时还可获得粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

另外，根据本发明上述实施例的微晶玻璃化学机械抛光方法还可以具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述SUBA系列抛光垫的邵氏硬度为60-80。由此，有利于提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的粒度为0.4～1.0微米，浓度为5～15wt％，优选的，粒度为0.7微米，浓度为10wt％。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的流量为50-500ml/min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。