[发明专利]集成电路及制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

衬底；

第一组功能胞单元，形成于所述衬底上，每一所述第一组功能胞单元包括：

第一对功能单元，所述第一对功能单元中的第一胞具有第一阈值电压且所述第一对功能单元中的第二胞具有第二阈值电压；以及

位于其所述功能单元之间的第一填充单元；以及

第二组功能胞单元，每一所述第二组功能胞单元包括第二对功能单元，所述第二对功能单元中的第三胞具有第三阈值电压且所述第二对功能单元中的第四胞具有第四阈值电压，且所述第三胞与所述第四胞彼此贴靠；

其中所述第一组功能胞单元中的所述功能胞单元的第一数目等于或大于第二组功能胞单元中的所述功能胞单元的第二数目。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一数目对所述第一数目与所述第二数目的和的比率介于0.5至1的范围内。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一组功能胞单元中的所述功能胞单元中的一个功能胞单元的所述填充单元具有填充栅极电极。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述填充栅极电极是浮动的。

5.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述填充栅极电极联接至电源供应线。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一组功能胞单元中的所述功能胞单元中的一个功能胞单元的所述填充单元不具有填充栅极电极。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一组功能胞单元中的所述功能胞单元中的一个功能胞单元进一步包括位于其所述功能单元之间的第二填充单元。

8.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

有源栅极电极；

第一虚设栅极电极；以及

第二虚设栅极电极，其中所述第一虚设栅极电极与所述第二虚设栅极电极之间的距离对所述有源栅极电极与所述第一虚设栅极电极的节距的比率约为2。

9.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

有源栅极电极；

第一虚设栅极电极；以及

第二虚设栅极电极，其中所述第一虚设栅极电极与所述第二虚设栅极电极之间的距离对所述有源栅极电极与所述第一虚设栅极电极的节距的比率约为1。

10.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包括：

提供具有第一组连续有源区的衬底，其中每一所述第一组连续有源区具有相对的第一端部部分与第二端部部分以及位于所述第一端部部分与所述第二端部部分之间的中间部分；

在所述第一组连续有源区中的每一所述连续有源区的所述中间部分中界定填充单元，使得所述第一组连续有源区中的所述连续有源区的数目等于或大于第二组连续有源区的数目，每一所述第二组连续有源区包括彼此贴靠的第一端部部分与第二端部部分；以及

对所述第一组连续有源区及所述第二组连续有源区中的每一所述连续有源区进行掺杂，使得其所述第一端部部分与所述第二端部部分具有不同的掺杂剂浓度。

11.根据权利要求10所述的制造半导体元件的方法，进一步包括：

在所述第一组连续有源区及所述第二组连续有源区中的每一所述连续有源区的所述第一端部部分中形成第一功能单元；以及

在所述第一组连续有源区及所述第二组连续有源区中的每一所述连续有源区的所述第二端部部分中形成第二功能单元。

12.根据权利要求10所述的制造半导体元件的方法，其中界定所述填充单元包括形成具有填充栅极电极的填充单元。

13.根据权利要求10所述的制造半导体元件的方法，其中界定所述填充单元包括形成不具有填充栅极电极的填充单元。