[发明专利]矩形半导体封装及其方法在审
| 申请号： | 201710669623.1 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109003958A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 于鸿祺;林俊荣 | 申请（专利权）人： | 华东科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/683;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王燕秋 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电路 晶粒 封装 矩形半导体 复数 电路板 堆叠式封装 模制化合物 扇出型封装 导电球体 电性连接 晶圆切割 变化性 金属线 晶圆 囊封 移除 载板 加工 | ||
1.一种矩形半导体封装，其为晶圆切割为晶粒后封装而不具备载板，其特征在于包含：一导电路由层；所述导电路由层的一顶面上有一第一晶粒；所述第一晶粒通过复数条第一金属线与所述导电路由层电性连接；复数个导电球体，其位于所述导电路由层的一底面上；一模制化合物，其囊封所述导电路由层上的所述第一晶粒。
2.如权利要求1所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述导电路由层的所述顶面上延伸复数个导电凸块。
3.如权利要求1所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述导电路由层包含一第二晶粒，所述第二晶粒位于所述第一晶粒上方或一侧。
4.如权利要求2所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述复数个导电凸块显露于所述模制化合物表面，为凹槽或平面显露。
5.如权利要求3所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述第二晶粒通过所述复数个导电凸块与所述导电路由层电性连接。
6.如权利要求4所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述第二晶粒通过复数条第二金属线与所述导电路由层电性连接。
7.如权利要求4所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述模制化合物囊封所述第二晶粒。
8.如权利要求7所述的矩形半导体封装，其特征在于：所述模制化合物并不覆盖所述第二晶粒的一顶面。
9.一种矩形半导体封装方法，其为晶圆切割为晶粒后封装而不具备载板，其步骤包含：
步骤1：将一载体上通过线路重布技术制作一导电路由层；
步骤2：将一第一晶粒与所述导电路由层黏合固定，再通过复数条第一金属线将所述第一晶粒与所述导电路由层电性连接；
步骤3：将一模制化合物囊封所述第一晶粒；
步骤4：移除所述载体；
步骤5：将复数个导电球体与所述导电路由层接合。
10.如权利要求9所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：步骤1时，将一载体上通过线路重布技术制作复数个导电凸块。
11.如权利要求9所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：步骤1后，将一第二晶粒堆放于所述第一晶粒上方。
12.如权利要求9所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：步骤1后，将一第二晶粒设置于所述第一晶粒一侧。
13.如权利要求9所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：步骤3后，加工将所述复数个导电凸块显露于所述模制化合物表面。
14.如权利要求11或12所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：在步骤3前，再通过复数条第二金属线将所述第二晶粒与所述导电路由层电性连接。
15.如权利要求11或12所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：在步骤3时，将所述模制化合物囊封所述第二晶粒。
16.如权利要求13所述的矩形半导体封装方法，其特征在于：在步骤3后，一封装件堆叠于所述模制化合物上，且电性连接于所述复数个导电凸块。
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