[发明专利]光设备的制造方法有效
| 申请号： | 201710670452.4 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706739B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 高木和久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 设备 制造 方法 | ||
1.一种光设备的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
在基板之上依次形成成为DFB激光器的有源层和衍射光栅形成层；
将所述有源层和所述衍射光栅形成层的一部分去除，在所述基板之上形成与所述有源层对接且成为光调制器的吸收层；
在所述衍射光栅形成层及所述吸收层之上形成第1绝缘膜；
在所述衍射光栅形成层之上的所述第1绝缘膜通过电子束曝光形成衍射光栅图案，与此同时，在所述吸收层之上的所述第1绝缘膜通过电子束曝光形成以所述光调制器的成为出射端面的位置作为端部的端面形成图案；
在所述第1绝缘膜的所述端面形成图案之上形成第2绝缘膜；
将所述第1及第2绝缘膜作为掩模对所述衍射光栅形成层进行蚀刻而形成衍射光栅；
将所述衍射光栅之上的所述第1绝缘膜去除，在保留所述吸收层之上的所述第1及第2绝缘膜的状态下，通过填埋层填埋所述衍射光栅；
将所述第2绝缘膜去除，在所述衍射光栅及所述填埋层之上，以不覆盖所述端面形成图案的方式形成第3绝缘膜；以及
将所述第1及第3绝缘膜作为掩模对所述吸收层进行蚀刻而形成所述光调制器的所述出射端面。
2.根据权利要求1所述的光设备的制造方法，其特征在于，
还具备下述工序，即，将半导体层填埋至对所述吸收层进行蚀刻后的部分而形成窗部或无源波导。
3.一种光设备的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
在基板之上依次形成成为DFB激光器的有源层和衍射光栅形成层；
将所述有源层和所述衍射光栅形成层的一部分去除，在所述基板之上形成与所述有源层对接且成为窗部的半导体层；
在所述衍射光栅形成层及所述半导体层之上形成第1绝缘膜；
在所述衍射光栅形成层之上的所述第1绝缘膜通过电子束曝光形成衍射光栅图案，与此同时，在所述半导体层之上的所述第1绝缘膜通过电子束曝光形成以所述窗部的成为出射端面的位置作为端部的端面形成图案；
在所述第1绝缘膜的所述端面形成图案之上形成第2绝缘膜；
将所述第1及第2绝缘膜作为掩模对所述衍射光栅形成层进行蚀刻而形成衍射光栅；
将所述衍射光栅之上的所述第1绝缘膜去除，在保留所述半导体层之上的所述第1及第2绝缘膜的状态下，通过填埋层填埋所述衍射光栅；
将所述第2绝缘膜去除，在所述衍射光栅及所述填埋层之上，以不覆盖所述端面形成图案的方式形成第3绝缘膜；以及
将所述第1及第3绝缘膜作为掩模对所述半导体层进行蚀刻而形成所述窗部的所述出射端面。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光设备的制造方法，其特征在于，
还具备下述工序，即，在所述有源层之上形成上包层，对所述上包层进行干蚀刻而形成垂直脊型构造。
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