[发明专利]光设备的制造方法

说明书

得到能够以nm级别对衍射光栅端部和光调制器出射端面的距离进行控制的光设备的制造方法。在有源层(2)之上的第1绝缘膜(18)通过电子束曝光形成衍射光栅图案，与此同时，在光吸收层(5)之上的第1绝缘膜通过电子束曝光形成以光调制器的成为出射端面的位置作为端部的端面形成图案。在第1绝缘膜的端面形成图案之上形成第2绝缘膜(20)。将第1及第2绝缘膜作为掩模对衍射光栅形成层(17)进行蚀刻而形成衍射光栅(3)，由填埋层(4)填埋衍射光栅。将第2绝缘膜去除，在衍射光栅及填埋层之上以不覆盖端面形成图案的方式形成第3绝缘膜(21)。将第1及第3绝缘膜作为掩模对光吸收层(5)进行蚀刻而形成光调制器的出射端面。

技术领域

本发明涉及电场吸收型光调制器集成半导体激光器等光设备的制造方法。

背景技术

作为在高速、大容量的光通信系统中使用的半导体设备，已知集成了半导体激光器、电场吸收型光调制器和窗部的光设备(例如，参照专利文献1(图1))。已知使用分布反馈式(Distributed Feedback：DFB)激光器作为这样的光设备的半导体激光器，朝向具有衍射光栅的区域的、调制后的返回光的相位控制是重要的(例如，参照非专利文献1)。作为衍射光栅的制造方法，已知在衍射光栅的图案形成时使用电子束(electron beam：EB)曝光(例如，参照专利文献1(第0010段))。

专利文献1：日本特开平09-092921号公报

专利文献2：日本特开平11-145557号公报

非专利文献：“応用物理学会編、伊賀健一編著《半導体レーザ》、オーム社”，1994年(特别是，p.366至p.368，图17·12)

图32是表示电场吸收型光调制器集成半导体激光器的俯视图。通过将调制电信号施加至电场吸收型光调制器，从而对由DFB激光器产生的CW光进行调制。在光设备的前端面和光调制器的出射端面之间，设置有用于降低来自光设备的前端面的返回光的窗部。然而，来自光调制器和窗部的界面即光调制器的出射端面的返回光入射至DFB激光器的有源区域内。根据该光的相位，DFB激光器内的烧孔变大，激光器的振荡波长的变化变大，由此存在传送特性劣化的问题。

在现有技术中，衍射光栅的图案是通过电子束曝光形成的，其他区域的图案是通过玻璃掩模形成的。因此，衍射光栅的端部和光调制器的出射端之间的距离的校准精度相对于光的波长并不充分，难以控制在来自光调制器的出射端的反射光入射至DFB激光器时的光的相位。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种能够以nm级别对衍射光栅的端部和光调制器的出射端面的距离进行控制的光设备的制造方法。

本发明涉及的光设备的制造方法，其特征在于，具备下述工序：在基板之上依次形成成为DFB激光器的有源层和衍射光栅形成层；将所述有源层和所述衍射光栅形成层的一部分去除，在所述基板之上形成与所述有源层对接且成为光调制器的吸收层；在所述衍射光栅形成层及所述吸收层之上形成第1绝缘膜；在所述有源层之上的所述第1绝缘膜通过电子束曝光形成衍射光栅图案，与此同时，在所述吸收层之上的所述第1绝缘膜通过电子束曝光形成以所述光调制器的成为出射端面的位置作为端部的端面形成图案；在所述第1绝缘膜的所述端面形成图案之上形成第2绝缘膜；将所述第1及第2绝缘膜作为掩模对所述衍射光栅形成层进行蚀刻而形成衍射光栅；将所述衍射光栅之上的所述第1绝缘膜去除，在保留所述吸收层之上的所述第1及第2绝缘膜的状态下，通过填埋层填埋所述衍射光栅；将所述第2绝缘膜去除，在所述衍射光栅及所述填埋层之上，以不覆盖所述端面形成图案的方式形成第3绝缘膜；以及将所述第1及第3绝缘膜作为掩模对所述吸收层进行蚀刻而形成所述光调制器的所述出射端面。

发明的效果