[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；

位线结构，在所述字线之上跨过并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；

接触焊盘结构，在平面图中在所述字线之间以及在所述位线结构之间；以及

间隔物结构，在所述位线结构与所述接触焊盘结构之间，

其中所述间隔物结构包括：

第一空气间隙，沿着所述位线结构的侧壁在所述第二方向上延伸；和

第二空气间隙，围绕每个所述接触焊盘结构并且联接到所述第一空气间隙，

其中每个所述接触焊盘结构包括在所述位线结构之间的下部分以及从所述下部分延伸并设置在所述位线结构中的相应一个上的上部分，并且

其中所述第二空气间隙围绕每个所述接触焊盘结构的所述下部分并在平面图中交叠每个所述接触焊盘结构的所述上部分，

其中所述间隔物结构还包括：

第一间隔物和第二间隔物，在所述第二方向上延伸并彼此相邻；以及

第三间隔物，在所述第二间隔物上且在所述位线结构之间并围绕每个所述接触焊盘结构的一部分，

其中所述第一空气间隙在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间，并且所述第二空气间隙在所述第一间隔物与所述第三间隔物之间。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第二空气间隙具有比所述第一空气间隙小的宽度。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一空气间隙包括邻近于所述接触焊盘结构的第一部分以及在所述接触焊盘结构之间的第二部分，并且

其中所述第一空气间隙的高度在所述第二部分处比在所述第一部分处大。

4.一种半导体存储器件，包括：

字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；

位线结构，在所述字线之上跨过并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；

接触焊盘结构，在平面图中在所述位线结构之间且在所述字线之间；

绝缘图案，在所述字线上并且在平面图中在所述接触焊盘结构之间且在所述位线结构之间；以及

间隔物结构，在所述位线结构与所述接触焊盘结构之间，

其中所述间隔物结构包括：

第一间隔物和第二间隔物，从所述位线结构与所述接触焊盘结构之间延伸到所述位线结构与所述绝缘图案之间；

第一空气间隙，在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间并在所述第二方向上延伸；以及

第二空气间隙，沿着所述第一方向从所述第一空气间隙延伸到所述绝缘图案与所述接触焊盘结构之间，

其中每个所述接触焊盘结构包括在所述位线结构之间的下部分以及从所述下部分延伸并设置在所述位线结构中的相应一个上的上部分，并且

其中所述第二空气间隙围绕每个所述接触焊盘结构的所述下部分并在平面图中交叠每个所述接触焊盘结构的所述上部分。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第二空气间隙具有比所述第一空气间隙小的宽度。

6.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第一空气间隙包括邻近于所述接触焊盘结构的第一部分以及在所述接触焊盘结构之间的第二部分，并且

其中所述第一空气间隙的高度在所述第二部分处比在所述第一部分处大。

7.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述间隔物结构还包括：

第三间隔物，在所述第二间隔物上且在所述位线结构之间并围绕每个所述接触焊盘结构的一部分，

其中所述第二空气间隙被限定在所述第一间隔物与所述第三间隔物之间以及在所述绝缘图案与所述第三间隔物之间。

8.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中每个所述接触焊盘结构包括：

接触导电图案；和

着陆焊盘，连接到所述接触导电图案并延伸到所述间隔物结构的一部分和所述位线结构中的相应一个的一部分上，

其中所述着陆焊盘包括在所述位线结构与所述绝缘图案之间的下部分以及在所述位线结构中的所述相应一个的所述部分上的上部分，并且

其中所述第二空气间隙围绕所述着陆焊盘的所述下部分。