[发明专利]半导体存储器件

说明书

本公开提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；以及接触焊盘结构，在平面图中在字线之间且在位线结构之间。间隔物结构在位线结构与接触焊盘结构之间延伸。间隔物结构包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。

技术领域

本公开的实施方式涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括基于空气间隙的间隔物结构的半导体存储器件。

背景技术

由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本，半导体器件可以被用于电子产业中。半导体器件可以分为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储器件和逻辑器件两者的功能的混合式器件。

一些半导体器件可以包括垂直堆叠的图案和将堆叠图案电连接到彼此的接触插塞。由于半导体器件已经被高度集成，图案之间的距离和/或图案与接触插塞之间的距离已经减小。因此，图案之间和/或图案与接触插塞之间的寄生电容会增大。寄生电容会导致半导体器件的性能恶化(例如，运行速度的降低)。

发明内容

发明构思的示例实施方式可以提供具有改善的电特性的半导体器件。

根据发明构思的一示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；接触焊盘结构，在平面图中在字线之间以及在位线结构之间；以及间隔物结构，在位线结构与接触焊盘结构之间。间隔物结构可以包括沿着位线结构的侧壁在第二方向上延伸的第一空气间隙以及围绕每个接触焊盘结构并且联接到第一空气间隙的第二空气间隙。

根据发明构思的一示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：字线，在半导体基板中在第一方向上延伸；位线结构，在字线之上跨过并在交叉第一方向的第二方向上延伸；接触焊盘结构，在平面图中在位线结构之间以及在字线之间；绝缘图案，在字线上并且在平面图中在接触焊盘结构之间以及在位线结构之间；以及间隔物结构，在位线结构与接触焊盘结构之间。间隔物结构可以包括：从位线结构与接触焊盘结构之间延伸到位线结构与绝缘图案之间的第一间隔物和第二间隔物；在第一间隔物与第二间隔物之间并在第二方向上延伸的第一空气间隙；以及沿着第一方向从第一空气间隙延伸到绝缘图案与接触焊盘结构之间的第二空气间隙。

根据发明构思的一示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括：在半导体基板上在第一方向上延伸的第一位线结构和第二位线结构，其中第一位线结构具有第一侧壁并且第二位线结构具有与第一侧壁相对的侧壁；接触焊盘结构，布置为在第一位线结构和第二位线结构之间在第一方向上彼此间隔开；第一间隔物结构，包括沿着第一位线结构的第一侧壁延伸的第一空气间隙；第二间隔物结构，包括沿着第二位线结构的第二侧壁延伸的第二空气间隙；以及第三间隔物结构，包括围绕接触焊盘结构并将第一空气间隙联接到第二空气间隙的第三空气间隙。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种半导体存储器件可以包括在基板上分别在交叉的第一方向和第二方向上延伸的字线以及相邻的位线结构。包括相应的导电着陆焊盘的接触焊盘结构可以提供在相邻的位线结构的相应的侧壁之间，并可以接触基板的杂质区。第一空气间隙可以在第二方向上沿着相邻的位线结构的相应的侧壁延伸并可以使相应的导电着陆焊盘与所述相邻的位线结构分离，第二空气间隙可以从第一空气间隙中的至少一个并在第一方向上沿着相应的导电着陆焊盘的多个侧部延伸。

附图说明

图1A是示出根据示例实施方式的半导体存储器件的平面图。

图1B示出沿图1A的线A-A'和B-B'截取的截面图。

图1C示出沿图1A的线C-C'和D-D'截取的截面图。

图2A是示出图1A的部分A的放大图，图2B是示出图1B的部分B的放大图。