[发明专利]半导体器件结构中温度效应的补偿

权利要求书

1.一种半导体器件结构，包括：

具有绝缘体上半导体区和混合区的衬底，其中，所述绝缘体上半导体区和所述混合区被至少一个隔离结构隔开，所述绝缘体上半导体区由设置在衬底材料之上的半导体层形成，以及掩埋绝缘材料被插入在所述半导体层和所述衬底材料之间；

设置在所述绝缘体上半导体区中的半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构以及与所述栅极结构相邻形成的源极区和漏极区；

设置在所述混合区中的二极管结构，所述二极管结构包括掺杂有第一导电类型的掺杂剂的阱区和掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂剂的阱部分，所述阱部分嵌入在所述混合区中的所述阱区中，其中，所述阱区在所述绝缘体上半导体区和所述混合区中的所述衬底材料内延伸并且被配置为用作所述半导体器件的背栅极；以及

耦合到所述二极管结构的电源电路装置，所述电源电路装置包括第一电源线、第二电源线、第一电阻器和第二电阻器，其中所述第一电阻器耦合在所述第一电源线和所述阱区之间，以及所述第二电阻器耦合在所述第二电源线和所述阱部分之间，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的至少一个包括可调电阻器。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一导电类型包括P型掺杂，其中，所述阱区中的掺杂剂的浓度低于所述阱部分中的掺杂剂的浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述阱区中的掺杂剂的所述浓度小于10¹⁸/cm³，其中，所述阱部分掺杂有浓度大于10¹⁸/cm³的N型掺杂剂。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其中，所述源极区和所述漏极区由掺杂有所述N型掺杂剂的凸起的源极区和漏极区形成。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述第一电源线是Vdd线以及所述第二电源线接地。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述第一导电类型包括N型掺杂，其中，所述阱区中的掺杂剂的浓度低于所述阱部分中的掺杂剂的浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其中，所述阱区中的掺杂剂的所述浓度小于10¹⁸/cm³，其中，所述阱部分掺杂有具有掺杂剂的浓度大于10¹⁸/cm³的P型掺杂剂。

8.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其中，所述源极区和所述漏极区由掺杂有P型掺杂剂的凸起的源极区和漏极区形成。

9.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其中，所述第一电源线接地，所述第二电源线是Vdd线。

10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述源极区和漏极区是掺杂有N型掺杂剂的凸起的源极区和漏极区，所述凸起的漏极区耦合到所述第一电源线。

11.根据权利要求10所述的半导体器件结构，其中，所述第一电源线相对于所述第二电源线处于小于+1V的正电势。

12.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述可调电阻器的电阻适于被调节，以便根据所述绝缘体上半导体区的操作温度调节所述半导体器件的阈值电压。

13.根据权利要求12所述的半导体器件结构，其中，所述可调电阻器是金属电阻器、扩散电阻器和晶体管电阻器中的一种。

14.根据权利要求12所述的半导体器件结构，其中，所述可调电阻器被配置为根据所述绝缘体上半导体区的操作温度来调节施加到所述背栅极的电势。

15.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述掩埋绝缘材料的厚度等于或小于20nm。