[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

位于基板之上的第一导电线，其中所述第一导电线的每个在第一方向上延伸，所述第一导电线设置在交叉所述第一方向的第二方向上，其中所述第一方向和所述第二方向基本上平行于所述基板的上表面；

第二导电线，所述第二导电线的每个在所述第二方向上延伸，其中所述第二导电线设置在所述第一方向上，其中所述第二导电线位于所述第一导电线之上，所述第二导电线包括第二金属图案和第三电极；

存储单元，位于所述第一导电线和所述第二导电线之间，其中所述存储单元在基本上垂直于所述基板的所述上表面的第三方向上交叠所述第一导电线和所述第二导电线，其中所述存储单元包括：

第一电极；

位于所述第一电极上的可变电阻图案；以及

位于所述可变电阻图案上的第二电极；

选择图案，位于所述存储单元上，

其中所述第三电极位于所述选择图案之上，其中所述第三电极与所述第二金属图案的每个的下表面直接接触，

其中所述选择图案的上表面和所述第三电极的下表面具有彼此基本上相同的形状和宽度，

其中所述选择图案沿着所述第一方向和所述第二方向的宽度比所述可变电阻图案沿着所述第一方向和所述第二方向的宽度宽，

其中所述选择图案的下表面沿着所述第一方向和所述第二方向的宽度比所述第二电极的上表面沿着所述第一方向和所述第二方向的宽度大，以及

其中所述第一电极沿着所述第一方向截取的横截面具有L形状。

2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述选择图案的下表面具有比所述第二电极的上表面的面积大的面积。

3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，还包括位于所述第一电极上的间隔物，其中所述间隔物的上表面和所述第一电极的上表面与所述可变电阻图案的下表面直接接触。

4.如权利要求3所述的可变电阻存储器件，其中所述间隔物包括硅氧化物。

5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第一电极与所述第一导电线的每个的上表面直接接触。

6.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第一电极和所述第二电极的每个包括钛氮化物、钛硅氮化物、钨氮化物、钨硅氮化物、钽硅氮化物、锆氮化物、锆硅氮化物、钨碳氮化物、钛硅碳氮化物、钛碳氮化物和/或钽氮化物。

7.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述选择图案包括双向阈值开关材料，该双向阈值开关材料包括锗、硅、砷和/或碲。

8.如权利要求7所述的可变电阻存储器件，其中所述选择图案还包括硒、硫、碳、氮、铟和硼中的至少一种。

9.如权利要求7所述的可变电阻存储器件，其中所述选择图案包括AsTeGeSiIn、GeTe、SnTe、GeSe、SnSe、AsTeGeSiSbS、AsTeGeSi、As₂Se₃Ge、As₂₅(Te₉₀Ge₁₀)₇₅、Te₂₈As_34.5Ge_15.5S₂₂、As₁₀Te₂₁S₂Ge₁₅Se₅₀Sb₂、Si₅Te₃₄As₂₈Ge₁₁S₂₁Se₁、AsTeGeSiSeNS、AsTeGeSiP、AsSe、AsGeSe、AsTeGeSe、ZnTe、GeTePb、GeSeTe、AlAsTe、SeAsGeC、SeTeGeSi、GeSbTeSe、GeBiTeSe、GeAsSbSe、GeAsBiTe、GeAsBiSe中的至少一种。