[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。

技术领域

本发明构思的示范性实施方式涉及一种可变电阻存储器件，更具体地，涉及制造该可变电阻存储器件的方法。

背景技术

当制造具有交叉点阵列结构的可变电阻存储器件时，选择层和可变电阻层可以沿两个方向被蚀刻以分别形成选择图案和可变电阻图案。因此，选择图案可能由于该蚀刻工艺而被损坏。选择层和可变电阻层可以通过相同的蚀刻工艺被蚀刻，选择图案和可变电阻图案可能被损坏。

发明内容

本发明构思的示范性实施方式提供一种具有提高的质量和可靠性的可变电阻存储器件。

本发明构思的示范性实施方式提供一种制造具有提高的质量和可靠性的可变电阻存储器件的方法。

根据本发明构思的示范性实施方式中，一种可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸且第一导电线设置在交叉第一方向的第二方向上，第一方向和第二方向基本上平行于基板的上表面。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线设置在第一方向上。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在基本上垂直于基板的上表面上的第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。选择图案的上表面和第三电极的下表面可以具有彼此基本上相同的形状和宽度。

根据本发明构思的示范性实施方式，一种可变电阻存储器件包括位于基板之上的多个第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在交叉第一方向的第二方向上，第一方向和第二方向基本上平行于基板的上表面。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在基本上垂直于基板的上表面的第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个第二导电线下面。选择图案在第二方向上延伸并与存储单元的上表面直接接触。

根据本发明构思的示范性实施方式，一种可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸，第一导电线设置在交叉基板的第二方向上延伸，第一方向和第二方向基本上平行于基板的上表面。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线设置在第一方向上。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在基本上垂直于基板的上表面的第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个第一导电线上。选择图案在第一方向上延伸并与第一导电线的上表面直接接触。