[发明专利]最佳读取参考电压的存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201710682238.0 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN107731259B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 熊晨荣;张帆;蔡宇;金炯锡;李濬;大卫·皮尼亚泰利 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;王朋飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 最佳 读取 参考 电压 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器系统的操作方法,所述存储器系统包括存储器装置,所述操作方法包括:
使用所述存储器系统的处理器,基于所述存储器装置中的存储器单元的电压分布,确定用于获得从所述存储器单元读取数据的最佳读取参考电压的范围,所述范围由最左侧电压和最右侧电压限定;
使用所述处理器,基于所述最左侧电压和所述最右侧电压计算所述范围内的所述最佳读取参考电压;以及
使用错误校正码组件执行错误校正进程,并且根据所述最佳读取参考电压实现原始位错误率即rBER,
其中确定所述范围使得所述范围中的每个电压在用作读取参考电压时能够在所述错误校正进程中实现最小的rBER,
其中通过使用1s计数器对所述读取参考电压分别进行1s的数量计数来执行迭代计算,以确定所述最左侧电压,并且基于所述最左侧电压,通过继续所述迭代计算来定位所述最右侧电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其中根据所述最左侧电压和所述最右侧电压计算所述最佳读取参考电压包括计算所述最左侧电压和所述最右侧电压的中间点。
3.根据权利要求1所述的方法,其中执行错误校正进程包括根据所述最佳读取参考电压实现所述最小的rBER。
4.根据权利要求1所述的方法,其中执行错误校正进程包括根据所述最佳读取参考电压生成软信息。
5.根据权利要求1所述的方法,其中执行错误校正进程包括根据所述最佳读取参考电压生成硬信息。
6.一种存储器系统的设备,其包括:
存储器装置;以及
控制器,其与所述存储器装置联接,且其被配置成:
基于所述存储器装置中的存储器单元的电压分布,确定用于获得从所述存储器单元读取数据的最佳读取参考电压的范围,所述范围由最左侧电压和最右侧电压限定;
基于所述最左侧电压和所述最右侧电压计算所述范围内的所述最佳读取参考电压;以及
执行错误校正进程,至少根据所述最佳读取参考电压实现原始位错误率即rBER,
其中确定所述范围使得所述范围中的每个电压在用作读取参考电压时能够在所述错误校正进程中实现最小的rBER,
其中通过使用1s计数器对所述读取参考电压分别进行1s的数量计数来执行迭代计算,以确定所述最左侧电压,并且基于所述最左侧电压,通过继续所述迭代计算来定位所述最右侧电压。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述控制器被进一步配置成计算所述最左侧电压和所述最右侧电压的中间点。
8.根据权利要求6所述的设备,其中所述控制器被进一步配置成执行错误校正进程,根据所述最佳读取参考电压实现所述最小的rBER。
9.根据权利要求6所述的设备,其中所述控制器被进一步配置成根据所述最佳读取参考电压生成软信息。
10.根据权利要求6所述的设备,其中所述控制器被进一步配置成根据所述最佳读取参考电压生成硬信息。
11.一种存储器系统,其包括:
处理器;
有形计算机可读存储介质,其联接到所述处理器,嵌入由所述处理器执行的非暂时性计算机程序产品,包括计算机指令,所述计算机指令被配置成:
基于存储器装置中的存储器单元的电压分布确定用于获得从所述存储器单元读取数据的最佳读取参考电压的范围,所述范围由最左侧电压和最右侧电压限定;
基于所述最左侧电压和所述最右侧电压计算所述范围内的所述最佳读取参考电压;以及
执行错误校正进程,至少根据所述最佳读取参考电压实现原始位错误率即rBER,
其中通过使用1s计数器对读取参考电压分别进行1s的数量计数来执行迭代计算,以确定所述最左侧电压,并且基于所述最左侧电压,通过继续所述迭代计算来定位所述最右侧电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710682238.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。