[发明专利]最佳读取参考电压的存储器系统及其操作方法

说明书

本发明涉及一种存储器系统的设备及其操作方法，该存储器系统的设备包括：多个存储器装置；以及控制器，其与多个存储器装置联接，且其被配置成确定具有多个读取参考电压的读取参考电压的范围，该读取参考电压实现最小的rBER；至少根据读取参考电压的范围计算最佳读取参考电压；至少根据最佳读取参考电压实现rBER；并且至少利用最佳读取参考电压执行错误校正进程。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年8月10日提交的申请号为62/373,227的美国临时申请的权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及一种存储器系统及其操作方法。

背景技术

在NAND闪速存储系统中，读取参考电压用于将NAND闪速存储器单元的可能的阈值电压范围划分成几个窗口。逻辑值被指定给每个窗口。单元的逻辑值由单元的阈值电压所在的电压窗口确定。例如，对于单层单元(SLC)，需要一个读取参考电压。当单元的阈值电压小于指定的读取参考电压时，单元的逻辑值设置为“1”；否则，单元的逻辑值设置为“0”。对于多层单元(MLC)，使用三个读取参考电压。对于三层单元(TLC)装置，存在七个读取参考电压。

由于诸如相邻单元的编程和读取操作、编程/擦除周期的次数以及保持时间的各种原因，单元的阈值电压可从其预期值开始变化。因此，具有预期值的单元的阈值电压可能偏移到具有不同的逻辑值的另一电压窗口。在此情况下，当单元被读取时，给出了错误的逻辑值，并且该错误将被计入原始位错误率(rBER)测量中。最佳读取参考电压可以达到最小的rBER。

目前，对于错误校正控制方案，存在硬解码算法和软解码算法的两种类型的算法。对于硬解码算法，使用了指示输入信息为“0”或“1”的硬信息。然而，软信息用于软解码算法，其不仅告诉解码器输入信息是否为“0”或者“1”，而且还为解码器提供其为“0”或者“1”的可能性。通常，如果提供了软信息，则软解码算法比硬解码算法提供更好的错误校正性能。在NAND闪速存储系统中，错误校正控制方案将首先尝试硬解码。当硬解码失败时，将使用软解码算法。

因此，仍然需要用于对存储器系统的最佳读取参考电压进行定位的存储器系统及其操作方法。

发明内容

本公开的实施例涉及一种存储器系统及其能够对存储器系统的最佳读取参考电压进行定位的操作方法。

一种存储器系统的操作方法包括：确定具有多个读取参考电压的读取参考电压的范围，该读取参考电压实现最小的rBER；至少根据读取参考电压的范围来计算最佳读取参考电压；至少根据最佳读取参考电压来实现rBER；并且至少利用该最佳读取参考电压来执行错误校正进程。

一种存储器系统的设备包括：多个存储器装置；以及控制器，其与多个存储器装置联接，且其被配置成确定具有多个读取参考电压的读取参考电压的范围，该读取参考电压实现最小的rBER；至少根据读取参考电压的范围计算最佳读取参考电压；至少根据最佳读取参考电压来实现rBER；并且至少利用该最佳读取参考电压执行错误校正进程。

一种存储器系统包括：处理器；有形计算机可读存储介质，其联接到处理器，嵌入由处理器执行的非暂时性计算机程序产品，包括计算机指令，该计算机指令被配置成：确定具有多个读取参考电压的读取参考电压的范围，该读取参考电压实现最小的rBER；至少根据读取参考电压的范围计算最佳读取参考电压；至少根据最佳读取参考电压实现rBER；并且至少利用该最佳读取参考电压执行错误校正进程。

附图说明

通过以下参照附图的详细描述，本发明的上述和其它特征及优点将对本发明所属领域的技术人员变得更加显而易见，其中：

图1是示意性地示出根据本发明的实施例的存储器系统的框图。

图2是示出根据本发明的实施例的存储器系统的框图。