[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法和液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板(1)、形成于所述衬底基板(1)上的以阵列形式分布的多个像素单元(2)，每个所述像素单元(2)包括薄膜晶体管开关(20)，其中，所述薄膜晶体管开关(20)包括形成于所述衬底基板(1)上的栅极(200)，所述栅极(200)包括形成于所述衬底基板(1)上的第一反光层(200a)。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极(200)包括形成于所述第一反光层(200a)上方的第一透明导电层(200b)。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一反光层(200a)由反光金属材料制备形成，所述反光金属材料选自Al和Ag中的一种，和/或所述第一透明导电层(200b)由金属氧化物制备形成，所述金属氧化物选自ITO和IGZO中的一种。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一反光层(200a)的厚度为100nm-350nm，并且/或者，所述第一透明导电层(200b)的厚度为10nm-100nm。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管开关(20)包括依次形成于所述栅极(200)上方的栅绝缘层(201)、半导体层(202)、源漏电极层(203)和钝化保护层(204)。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极层(203)包括间隔设置于所述半导体层(202)的表面的源极(203a)和漏极(203b)。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元(2)包括存储电容部(21)，所述存储电容部(21)包括依次形成于所述衬底基板(1)上的存储电容下极板(211)、电介质层(212)以及穿过设置于所述钝化保护层(204)表面的通孔与所述漏极(203b)电气连接的像素电极层(210)。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容下极板(211)包括形成于所述衬底基板(1)上的第二反光层(211a)。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容下极板(211)包括形成于所述第二反光层(211a)的上方的第二透明导电层(211b)。

10.根据权利要求9中所述的阵列基板，其特征在于，所述第二反光层(211a)由反光金属材料制备形成，所述反光金属材料选自Al和Ag中的一种，和/或所述第二透明导电层(211b)由金属氧化物制备形成，所述金属氧化物选自ITO和IGZO中的一种。

11.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述电介质层(212)包括依次形成于所述存储电容下极板(211)上方的绝缘层(212a)和保护层(212b)，所述绝缘层(212a)与所述栅绝缘层(201)形成一体结构，所述保护层(212b)与所述钝化保护层(204)形成一体结构。

12.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：

S10、在衬底基板(1)上依次沉积第一材料和透明导电材料并构图形成能够反光的栅极(200)和存储电容下极板(211)；

S20、在所述栅极(200)的表面依次沉积第二材料和第三材料并构图形成栅绝缘层(201)、绝缘层(212a)、半导体层(202)，其中，所述绝缘层(212a)与所述栅绝缘层(201)同时形成且均由所述第二材料沉积并构图形成；

S30、在所述半导体层(202)的表面沉积第四材料并构图形成源漏电极层(203)，其中，所述源漏电极层(203)包括源极(203a)和漏极(203b)；

S40、在所述源漏电极层(203)的表面沉积第五材料并构图形成钝化保护层(204)和保护层(212b)，其中，所述保护层(212b)与所述钝化保护层(204)同时形成且均由所述第五材料沉积并构图形成，所述钝化保护层(204)的表面形成与所述漏极(203b)相通的通孔；

S50、在所述保护层(212b)上沉积第六材料并构图形成像素电极层(210)，所述像素电极层(210)穿过所述通孔与所述漏极(203b)电气连接。