[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法和液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，具体地涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和液晶面板。

背景技术

在平板显示器中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、无辐射和制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD通常包括液晶面板和背光模组(也可称为背光源)。液晶面板本身并不发光，它显示图形或字符是它对光线调制的结果。背光模组为TFT-LCD的关键零组件之一，是位于薄膜晶体管液晶显示器背后的一种光源，能够为液晶面板提供均匀、高亮度的光源，使TFT-LCD能正常显示影像。背光模组主要由光源、导光板、光学用膜片和塑胶框等组成。背光源具有亮度高，寿命长、发光均匀等特点，而背光模组的发光效果将直接影响到薄膜晶体管液晶显示器的视觉效果。

现有的液晶面板主要包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。由于受被动发光方式的制约，TFT-LCD的功耗尤其是大尺寸的TFT-LCD的功耗比较高。阵列基板的扫描线一般采用铝钕/钼(ALNd/Mo)复合材料制作，其本身不能被光所透过，因此背光源在向外界传输的能量的损耗除了在穿透偏光片和液晶材料中损失掉，还有很大一部分光被阵列基板的扫描线、栅极遮挡并吸收掉，因此大大降低了背光的利用效率，由此增加了TFT-LCD的功耗。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的由于阵列基板中的栅极吸收光而使得背光源的利用效率较低的问题，提供一种阵列基板，该阵列基板能够将经过栅极的光反射回去，从而提高了背光源的利用效率。

为了实现上述目的，本发明一方面提供一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、形成于所述衬底基板上的以阵列形式分布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管开关，其中，所述薄膜晶体管开关包括形成于所述衬底基板上的栅极，所述栅极包括形成于所述衬底基板上的第一反光层。

优选地，所述栅极包括形成于所述第一反光层上方的第一透明导电层。

优选地，所述第一反光层由反光金属材料制备形成，所述反光金属材料选自Al和Ag中的一种，和/或所述第一透明导电层由金属氧化物制备形成，所述金属氧化物选自ITO和IGZO中的一种。

优选地，所述第一反光层的厚度为100nm-350nm，并且/或者，所述第一透明导电层的厚度为10nm-100nm。

优选地，所述薄膜晶体管开关包括依次形成于所述栅极上方的栅绝缘层、半导体层、源漏电极层和钝化保护层。

优选地，所述源漏电极层包括间隔设置于所述半导体层的表面的源极和漏极。

优选地，每个所述像素单元包括存储电容部，所述存储电容部包括依次形成于所述衬底基板上的存储电容下极板、电介质层以及穿过设置于所述钝化保护层表面的通孔与所述漏极电气连接的像素电极层。

优选地，所述存储电容下极板包括形成于所述衬底基板上的第二反光层。

优选地，所述存储电容下极板包括形成于所述第二反光层的上方的第二透明导电层。

优选地，所述第二反光层由反光金属材料制备形成，所述反光金属材料选自Al和Ag中的一种，和/或所述第二透明导电层由金属氧化物制备形成，所述金属氧化物选自ITO和IGZO中的一种。

优选地，所述电介质层包括依次形成于所述存储电容下极板上方的绝缘层和保护层，所述绝缘层与所述栅绝缘层形成一体结构，所述保护层与所述钝化保护层形成一体结构。

在上述技术方案中，通过在所述衬底基板上设置含有所述第一反光层的所述栅极，从而使得由背光源发出的光经过所述阵列基板时，所述栅极能够将经过自身的光反射回去，这样，当将该阵列基板应用于液晶面板中时，能够提高背光源的利用效率，同时降低液晶面板的显示功耗。另外，由于能够将经过所述阵列基板的栅极的部分光反射回去，这样减少了光照对所述阵列基板的电学特性的影响，由此大大降低了所述阵列基板因受到光照影响而产生较大漏电流的几率。

本发明第二面提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括以下步骤：

S10、在衬底基板上依次沉积第一材料和透明导电材料并构图形成能够反光的栅极和存储电容下极板；

S20、在所述栅极的表面依次沉积第二材料和第三材料并构图形成栅绝缘层、绝缘层、半导体层，其中，所述绝缘层与所述栅绝缘层同时形成且均由所述第二材料沉积并构图形成；