[发明专利]一种存储器及其探测方法、以及芯片

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的激光探测电路，所述激光探测电路至少包括多个监测晶体管、至少一个充电晶体管和至少一个放大器单元，一个所述放大器单元的输入端分别与至少一个所述监测晶体管的输出端、以及一个所述充电晶体管的输出端电连接，所述监测晶体管的输入端接地，所述充电晶体管的输入端与电源电连接，所述放大器单元内设置有输入端的参考电压，所述充电晶体管用于在充电状态下导通以给所述放大器单元的输入端充电以使所述放大器单元的输入端电压保持为高于所述参考电压的存储器电源电压VDD，所述监测晶体管处于关闭状态且用于在监测状态下监测是否有激光注入，并在被激光照射后产生光漏电流使所述放大器单元的输入端电压下降并低于所述参考电压，所述放大器单元用于在监测到其输入端的电压低于所述参考电压时产生报警信号并输出该报警信号至所述存储器或集成有所述存储器的芯片；以及，

位于所述衬底上的数据电路区域和数据存储区域，所述数据电路区域设置有多个敏感电路，所述数据存储区域设置有存储阵列，其中，每个所述敏感电路与至少一个所述监测晶体管相邻设置，和/或，所述存储阵列与至少一个所述监测晶体管相邻设置。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述敏感电路与相邻的每个所述监测晶体管的间距小于或等于1微米；以及，

所述存储阵列与相邻的每个所述监测晶体管的间距小于或等于1微米。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述多个敏感电路至少包括控制器电路、行译码电路、列译码电路、读出放大器电路和输入输出缓冲电路。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底为P型衬底。

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述监测晶体管为N型晶体管，其中，所述监测晶体管的源极与所述P型衬底直接接触并通过所述P型衬底接地，所述监测晶体管的漏极与所述放大器单元的输入端电连接，以及所述监测晶体管的栅极接收第一控制信号。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述监测晶体管的漏极尺寸大于所述监测晶体管的源极尺寸。

7.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述充电晶体管为P型晶体管，其中，所述充电晶体管的源极与所述P型衬底直接接触且与电源电连接，所述充电晶体管的漏极与所述放大器单元的输入端电连接，以及所述充电晶体管的栅极接收第二控制信号。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述第二控制信号为时钟信号。

9.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述监测晶体管的漏极尺寸大于所述充电晶体管的源极尺寸。

10.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述激光探测电路还包括：储能电容，一个所述储能电容与一个所述放大器单元对应设置，所述储能电容的第一端分别与至少一个所述监测晶体管的漏极、一个所述充电晶体管的漏极、以及一个所述放大器单元的输入端电连接，所述储能电容的第二端与所述P型衬底直接接触并通过所述P型衬底接地。

11.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述放大器单元为单端输入单端输出类电压放大器，所述放大器单元用于在监测到输入端的电压低于参考电压时产生并输出报警信号。