[发明专利]一种存储器及其探测方法、以及芯片

说明书

本发明实施例公开了一种存储器及其探测方法、以及芯片，该存储器包括：衬底；位于衬底上的激光探测电路，激光探测电路至少包括多个监测晶体管、至少一个充电晶体管和至少一个放大器单元，一个放大器单元的输入端分别与至少一个监测晶体管的输出端、以及一个充电晶体管的输出端电连接，监测晶体管的输入端接地，充电晶体管的输入端与电源电连接；位于衬底上的数据电路区域和数据存储区域，数据电路区域设置有多个敏感电路，数据存储区域设置有存储阵列，每个敏感电路与至少一个监测晶体管相邻设置，和/或，存储阵列与至少一个监测晶体管相邻设置。本发明实施例提供的存储器，生产成本低，能够有效提高激光探测准确度，避免漏检测。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种存储器及其探测方法、以及集成有存储器的芯片。

背景技术

在信息安全应用领域，基于特定密码算法的安全芯片需要为内部敏感信息提供信息安全保障，保护信息的机密性与完整性。而安全芯片由于其内部信息的重要性，相应也会遭受各种形态的攻击，面临着严重的安全性挑战。

目前，通过异常注入攻击手段来获取密钥已经是黑客破解芯片的通用方法，而其中行之有效的一种异常注入攻击手段是激光故障注入攻击手段。激光故障注入攻击手段攻击芯片的基本原理是内光电效应，激光通常注入芯片的逻辑区域并在芯片的逻辑区域引发瞬变的电压，导致存储器产生逻辑错误即存储器的存储内容或读出结果翻转，从而产生芯片工作异常。攻击者通过激光故障注入攻击手段可破坏芯片内信息的完整性，或者可根据芯片异常时输出的错误响应推算芯片内关键信息。

现有技术中，芯片内多集成独立于其他功能单元和存储器单元的激光探测器，进行抗激光注入。然而，激光探测器与芯片的存储器间距较大，而现有激光注入精度非常高，可能存在漏检测现象，以及激光探测器占用面积过大导致在芯片中设置的数量较少，因此现有芯片中的激光探测器的探测准确度低；另一方面，激光探测器通常使用光敏二极管监测激光，光敏二极管与芯片制造工艺兼容性差，导致生产成本高。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器及其探测方法、以及芯片，以解决现有芯片中集成的激光探测器的探测准确度低和生产成本高的问题。

本发明实施例提供了一种存储器，该存储器包括：

衬底；

位于所述衬底上的激光探测电路，所述激光探测电路至少包括多个监测晶体管、至少一个充电晶体管和至少一个放大器单元，一个所述放大器单元的输入端分别与至少一个所述监测晶体管的输出端、以及一个所述充电晶体管的输出端电连接，所述监测晶体管的输入端接地，所述充电晶体管的输入端与电源电连接；以及，

位于所述衬底上的数据电路区域和数据存储区域，所述数据电路区域设置有多个敏感电路，所述数据存储区域设置有存储阵列，其中，每个所述敏感电路与至少一个所述监测晶体管相邻设置，和/或，所述存储阵列与至少一个所述监测晶体管相邻设置。

进一步地，所述敏感电路与相邻的每个所述监测晶体管的间距小于或等于1微米；以及，

所述存储阵列与相邻的每个所述监测晶体管的间距小于或等于1微米。

进一步地，所述多个敏感电路至少包括控制器电路、行译码电路、列译码电路、读出放大器电路和输入输出缓冲电路。

进一步地，所述衬底为P型衬底。

进一步地，所述监测晶体管为N型晶体管，其中，所述监测晶体管的源极与所述P型衬底直接接触并通过所述P型衬底接地，所述监测晶体管的漏极与所述放大器单元的输入端电连接，以及所述监测晶体管的栅极接收第一控制信号。

进一步地，所述监测晶体管的漏极尺寸大于所述监测晶体管的源极尺寸。