[发明专利]直接带隙GeSn互补型TFET

权利要求书

1.一种直接带隙GeSn互补型TFET(100)，其特征在于，包括：

Si衬底(101)；

Ge外延层(102)，设置于所述衬底(101)上表面；所述Ge外延层为晶化Ge层，所述晶化Ge层采用连续激光再晶化工艺处理，激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm²，激光移动速度为25mm/s，加热温度700℃；

GeSn层(103)，设置于所述Ge外延层(102)上表面；

P型基底(104)、N型基底(105)，设置于所述GeSn层(103)内；

第一源区(106)、第一漏区(107)，设置于所述P型基底(104)内并位于两侧位置处；

第二源区(108)、第二漏区(109)，设置于所述N型基底(105)内并位于两侧位置处；

第一源区电极(110)，设置于所述第一源区(106)上表面；

第一漏区电极(111)，设置于所述第一漏区(107)上表面；

第二源区电极(112)，设置于所述第二源区(108)上表面；

第二漏区电极(113)，设置于所述第二漏区(109)上表面。

2.根据权利要求1所述的互补型TFET(100)，其特征在于，所述Si衬底(101)为N型单晶硅且其掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3。

3.根据权利要求1所述的互补型TFET(100)，其特征在于，所述Ge外延层(102)为N型掺杂且其厚度为200~300nm。

4.根据权利要求1所述的互补型TFET(100)，其特征在于，所述GeSn层(103)为N型掺杂且其厚度为140~160nm。

5.根据权利要求1所述的互补型TFET(100)，其特征在于，所述第一源区电极(110)、所述第一漏区电极(111)、所述第二源区电极(112)及所述第二漏区电极(113)的厚度均为20~30nm。

6.根据权利要求5所述的互补型TFET(100)，其特征在于，还包括第一栅介质层(114)、第一栅极材料层(115)、第二栅介质层(116)及第二栅极材料层(117)；其中，

所述第一栅介质层(114)，设置于所述P型基底(104)上表面中间位置处；

所述第一栅极材料层(115)，设置于所述第一栅介质层(114)上表面；

所述第二栅介质层(116)，设置于所述N型基底(105)上表面中间位置处；

所述第二栅极材料层(117)，设置于所述第二栅介质层(116)上表面。

7.根据权利要求6所述的互补型TFET(100)，其特征在于，还包括侧墙(118)，所述侧墙(118)设置于所述第一栅介质层(114)、所述第一栅极材料层(115)、所述第二栅介质层(116)及所述第二栅极材料层(117)的两侧位置处。

8.根据权利要求1所述的互补型TFET(100)，其特征在于，还包括隔离层(119)，所述隔离层(119)设置于所述P型基底(104)与所述N型基底(105)之间。

9.根据权利要求8所述的互补型TFET(100)，其特征在于，还包括钝化层(120)与介质层(121)；其中，

所述钝化层(120)覆盖于所述第一源区电极(110)、所述第一漏区电极(111)、所述第二源区电极(112)及所述第二漏区电极(113)上表面；

所述介质层(110)填充于所述钝化层(109)与所述第一源区电极(110)、所述第一漏区电极(111)、所述第二源区电极(112)、所述第二漏区电极(113)及所述隔离层(119)形成的空间位置处。