[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的第一晶体管和第二晶体管；其特征在于，

所述第二晶体管的有源层设置于所述第一晶体管的层间介质层背离所述衬底基板的一侧；

所述第一晶体管的层间介质层与所述第二晶体管的有源层之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有阻挡氢的能力；

所述绝缘层的材料为氧化铝、掺铈氧化铝、掺镧氧化铝、掺铈氧化硅、掺镧氧化硅之一或组合；

所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的源漏极同层设置。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管的有源层的材料为低温多晶硅；所述第二晶体管的有源层的材料为氧化物。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层的厚度为

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述掺铈氧化铝、所述掺镧氧化铝、所述掺铈氧化硅和所述掺镧氧化硅中所掺杂铈或镧的质量分数为0.05％-5％。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述绝缘层面向所述第二晶体管的有源层一侧的氧化硅层。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：设置于所述绝缘层与所述氧化硅层之间的氮化硅层。

7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管的源漏极位于所述第一晶体管的层间介质层与所述绝缘层之间。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第一晶体管的层间介质层；

采用一次构图工艺在所述层间介质层上同时形成所述第一晶体管的源漏极与第二晶体管的栅极；

在所述第一晶体管的层间介质层上形成具有阻氢作用的绝缘层；所述绝缘层的材料为氧化铝、掺铈氧化铝、掺镧氧化铝、掺铈氧化硅、掺镧氧化硅之一或组合；

在所述绝缘层上形成所述第二晶体管的有源层。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成第一晶体管的层间介质层之前，还包括：在所述衬底基板上依次形成所述第一晶体管的有源层、栅极绝缘层和栅极。