[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板，设置于衬底基板上的第一晶体管和第二晶体管；第二晶体管的有源层设置于第一晶体管的层间介质层背离衬底基板的一侧；第一晶体管的层间介质层与第二晶体管的有源层之间设置有绝缘层，绝缘层具有阻挡氢的能力。由于绝缘层位于第一晶体管的层间介质层与第二晶体管的有源层之间，并且具有阻挡氢的能力，因此，有效避免了在形成第一晶体管的层间介质层的过程中产生的氢扩散至第二晶体管的有源层，导致第二晶体管性能下降的现象。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示面板按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)显示面板和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)显示面板两大类。其中，AMOLED显示面板具有呈阵列式排布的像素单元，属于主动显示类型，具有发光效能高、对比度高、视角宽、响应速度快、可制作大尺寸可挠性面板等诸多优点，在平板显示领域受到科学家和产业界的广泛重视，成为了新一代平板显示的研究热点。

在AMOLED显示面板的生产过程中，需要在一个晶体管上形成另一晶体管的有源层时，会涉及到形成有源层的多步温度在300℃-500℃之间的退火(Aneal)及后烘(Oven)等高温处理工艺。

发明内容

发明人发现，在AMOLED显示面板的生产过程中对膜层进行高温处理环节时，在形成靠近衬底设置的晶体管的层间介质层(Inter Layer Dielectric，ILD)时产生的氢可能会进入远离衬底设置的晶体管的有源层中，使得有源层的电性能发生变化，甚至会导致有源层从半导体变为导体，进而影响在上设置的晶体管的特性。有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的，在形成靠近衬底的晶体管的层间介质层的过程中产生的氢影响在远离衬底设置的晶体管的特性的问题。

因此，本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的第一晶体管和第二晶体管；

所述第二晶体管的有源层设置于所述第一晶体管的层间介质层背离所述衬底基板的一侧；

所述第一晶体管的层间介质层与所述第二晶体管的有源层之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有阻挡氢的能力。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一晶体管的有源层的材料为低温多晶硅；所述第二晶体管的有源层的材料为氧化物。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层的材料为氧化铝、掺铈氧化铝、掺镧氧化铝、掺铈氧化硅、掺镧氧化硅之一或组合。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述绝缘层的厚度为

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述掺铈氧化铝、所述掺镧氧化铝、所述掺铈氧化硅和所述掺镧氧化硅中所掺杂铈或镧的质量分数为0.05％-5％。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：设置于所述绝缘层面向所述第二晶体管的有源层一侧的氧化硅层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：设置于所述绝缘层与所述氧化硅层之间的氮化硅层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一晶体管的源漏极位于所述第一晶体管的层间介质层与所述绝缘层之间。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的源漏极同层设置。