[发明专利]半导体封装结构及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，用于封装半导体芯片，所述半导体芯片包括至少两个电极，每个电极制作有至少一个对应的电极开孔，该封装结构包括：

封装底盘，所述封装底盘上设置有分别与所述至少两个电极对应的引脚电极；

至少两个扩展电极，每个扩展电极包括用于插入一个所述电极上开设的电极开孔的导电柱；

其中，所述电极开孔延伸至所述电极的内部，所述引脚电极上制作有至少一个沟槽；所述扩展电极上制作有与所述引脚电极上的沟槽相配合的导电凸起。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，每个所述扩展电极还包括导电本体，所述扩展电极上的导电柱和导电凸起分别设置于所述导电本体的两端。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述至少两个电极包括两端器件的第一电极和第二电极，其中，所述至少两个扩展电极包括：

与第一电极对应的第一扩展电极，该第一扩展电极包括用于插入所述第一电极上开设的电极开孔的第一导电柱以及与该第一电极对应的引脚电极上设置的沟槽相配合的第一导电凸起；

与第二电极对应的第二扩展电极，该第二扩展电极包括用于插入所述第二电极上开设的电极开孔的第二导电柱以及与该第二电极对应的引脚电极上设置的沟槽相配合的第二导电凸起。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，至少两个引脚电极包括分别与所述第一电极和第二电极对应的第一引脚电极和第二引脚电极，所述第一引脚电极和第二引脚电极分别设置在所述封装底盘的相对两端。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述至少两个电极包括三端器件的源极、漏极和栅极，其中，所述至少两个扩展电极包括：

第一扩展电极，该第一扩展电极包括用于插入所述源极上开设的电极开孔的第一导电柱以及与该源极对应的引脚电极上设置的沟槽相配合的第一导电凸起；

第二扩展电极，该第二扩展电极包括用于插入所述漏极上开设的电极开孔的第二导电柱以及与该漏极对应的引脚电极上设置的沟槽相配合的第二导电凸起；以及

第三扩展电极，该第三扩展电极包括用于插入所述栅极上开设的电极开孔的第三导电柱以及与该栅极对应的引脚电极上设置的沟槽相配合的第三导电凸起。

6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，至少两个引脚电极包括与所述源极对应的第一引脚电极、与所述漏极对应的第二引脚电极、以及与所述栅极对应的第三引脚电极，所述第三引脚的数量为至少一个，位于封装底盘与栅极对应的两端。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述沟槽为底部是弧形的凹槽；所述导电凸起为与所述底部为弧形的凹槽曲率匹配的凸块。

8.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括用于容纳半导体芯片的芯片容置槽，所述芯片容置槽内设有散热片。

9.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述每个电极上的若干个电极开孔等间距排列，或者是多列排列；所述扩展电极的上的若干个电极柱对应于所述电极上的电极开孔以相同规律排列。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电极上的所述电极开孔的形状为被倒角的长方体孔；对应所述电极柱的形状是与所述电极开孔形状匹配的被倒角的长方体柱。

11.根据权利要求1至6任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电柱为预先制作于所述电极开孔内的金属柱，所述扩展电极上开设有与所述金属柱相匹配的盲孔。

12.据权利要求1至6任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电凸起包括等间距排列的多个凸起；或者所述导电凸起包括多列排列的多个凸起，每一列排列的凸起的数量不同。