[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造包括非易失性存储器的半导体器件的方法，所述方法包括：

形成单元结构，所述单元结构包括：

堆叠结构，包括设置在第一介电层上方的第一多晶硅层、设置在所述第一多晶硅层上方的第二介电层、设置在所述第二介电层上方的第三介电层以及设置在所述第三介电层上方的第二多晶硅层；和

第三多晶硅层，设置在所述堆叠结构的两侧处；

至少部分地去除所述第二多晶硅层，从而形成控制栅极间隔；以及

在所述控制栅极间隔中形成导电材料；

其中，形成所述单元结构包括：

在衬底上方形成所述第一介电层；

在所述第一介电层上方形成用于所述第一多晶硅层的第一多晶硅膜；

在所述第一多晶硅膜上方形成用于所述第二介电层的第二介电膜；

在所述第二介电膜上方形成用于所述第三介电层的第三介电膜；

在所述第三介电膜上方形成用于所述第二多晶硅层的第二多晶硅膜；

图案化所述第二多晶硅膜和所述第三介电膜，从而形成所述第二多晶硅层和所述第三介电层；

在形成所述第二多晶硅层和所述第三介电层之后，图案化所述第二介电膜和所述第一多晶硅膜，从而形成所述堆叠结构；

在所述堆叠结构的两侧处形成用于所述第三多晶硅层的第三多晶硅膜；以及

对所述堆叠结构和所述第三多晶硅层实施平坦化操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三介电层包括Hf、Y、Ta、Ti、Al和Zr的一种或多种氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三介电层还包括氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电层是氧化硅层、氮化硅层或它们的多层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层是氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括，在图案化所述第二多晶硅膜和所述第三介电膜之后并且在图案化所述第二介电膜和所述第一多晶硅膜之前，在图案化的第二多晶硅膜的两侧上形成第一侧壁间隔件。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括，在形成所述第一侧壁间隔件之后并且在图案化所述第二介电膜和所述第一多晶硅膜之前，在所述第一侧壁间隔件上方形成第二侧壁间隔件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二侧壁间隔件包括氧化硅层、氮化硅层以及它们的多层的一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

当至少部分地去除所述第二多晶硅层时，也至少部分地去除所述第三多晶硅层，从而形成选择栅极间隔和擦除栅极间隔，以及

也在所述选择栅极间隔和所述擦除栅极间隔中形成所述导电材料，从而形成选择栅极和擦除栅极。