[发明专利]具有光束形状修改的激光器

权利要求书

1.一种封装的半导体激光器，其包含：

具有衬底表面的衬底；以及

在所述衬底的所述衬底表面上的外延激光器，所述外延激光器具有蚀刻腔面；

其中所述衬底从所述蚀刻腔面向外延伸以形成天井，所述天井包含形成在其中的复数个台阶，以及暴露的反射表面，

其中所述复数个台阶包括具有台阶表面的第一台阶，所述第一台阶邻接所述蚀刻腔面，其中每个后续台阶从所述蚀刻腔面向外进一步延伸至所述衬底中，使得从所述外延激光器发射的光被反射离开所述复数个台阶中的至少之一的所述暴露的反射表面以修改所述外延激光器的垂直远场。

2.如权利要求1所述的封装的半导体激光器，还包含至少一个从所述蚀刻腔面向外延伸的反射侧壁。

3.如权利要求1所述的封装的半导体激光器，还包含反射顶板，所述反射顶板设置为与从所述蚀刻腔面向外延伸的所述天井相对。

4.如权利要求1所述的封装的半导体激光器，还包含沉积在所述天井上的反射涂层。

5.如权利要求1所述的封装的半导体激光器，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。

6.一种封装的半导体激光器，其包含：

具有衬底表面的衬底；

在所述衬底上的外延激光器，所述外延激光器具有蚀刻腔面；以及

邻近所述蚀刻腔面的天井，所述天井具有形成在其中的复数个台阶，以及暴露的反射表面，其中所述复数个台阶包括具有台阶表面的第一台阶，所述第一台阶邻接所述蚀刻腔面，其中每个后续台阶从所述蚀刻腔面向外进一步延伸至所述衬底中，使得从所述外延激光器发射的光被反射离开所述复数个台阶中的至少之一的所述暴露的反射表面以修改所述外延激光器的垂直远场。

7.如权利要求6所述的封装的半导体激光器，还包含至少一个从所述蚀刻腔面向外延伸的反射侧壁。

8.如权利要求6所述的封装的半导体激光器，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。

9.一种封装的半导体激光器，其包含：

衬底；

在所述衬底的表面上的外延激光器，所述外延激光器具有蚀刻腔面，所述蚀刻腔面具有与所述衬底的所述表面成非90°的角度；以及

邻近所述蚀刻腔面的结构，所述结构具有从所述蚀刻腔面向外延伸的至少两个相对的反射表面，其中所述至少两个相对的反射表面相对于所述蚀刻腔面被定位，使得从所述外延激光器发射的光被反射离开所述至少两个相对的反射表面以修改所述外延激光器的水平远场。

10.如权利要求9所述的封装的半导体激光器，其中所述结构还包含具有反射表面的倾斜天井。

11.如权利要求10所述的封装的半导体激光器，其中所述至少两个相对的反射表面包含至少两个反射侧壁。

12.如权利要求11所述的封装的半导体激光器，其中各个侧壁通过间隙分离于所述蚀刻腔面。

13.如权利要求9所述的封装的半导体激光器，其中所述结构还包括含有复数个具有反射表面的台阶的阶梯。

14.如权利要求13所述的封装的半导体激光器，其中所述至少两个相对的反射表面包含至少两个反射侧壁。

15.如权利要求14所述的封装的半导体激光器，其中各个侧壁通过间隙分离于所述蚀刻腔面。

16.如权利要求9所述的封装的半导体激光器，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。