[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板有效
申请号: | 201710697586.5 | 申请日: | 2017-08-15 |
公开(公告)号: | CN107490911B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 孙明剑 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括依次层叠设置于基板(10)上的漏极(14b)、第一绝缘层(15)、平坦层(16)、第一电极层(17a)、连接层(17b)、第二绝缘层(18)和第二电极层(19),该第二绝缘层(18)上设有第二导通孔(102),该连接层(17b)与该漏极(14b)电性连接,该第二电极层(19)通过该第二导通孔(102)与该连接层(17b)电性连接,该第一绝缘层(15)和该平坦层(16)上设有第一导通孔(101),该连接层(17b)通过该第一导通孔(101)与该漏极(14b)电性连接,该连接层(17b)包括第一部分(171b)和第二部分(172b),该第一部分(171b)设置在该第一导通孔(101)内,并与该漏极(14b)电性连接,该第二部分(172b)设置于该第一导通孔(101)外,该第二电极层(19)通过该第二导通孔(102)与该第二部分(172b)电性连接,所述第一电极层(17a)与所述连接层(17b)彼此分隔位于同一层,所述第一电极层(17a)为公共电极,所述第二电极层(19)为像素电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该第一电极层(17a)和该连接层(17b)是导电材料通过一道光罩制程一次形成。
3.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,该制作方法的步骤包括:
提供基板(10),在该基板(10)上依次形成漏极(14b)、第一绝缘层(15)、平坦层(16)、第一电极层(17a)、连接层(17b)、第二绝缘层(18)和第二电极层(19),其中,该第二绝缘层(18)上设有第二导通孔(102),该连接层(17b)与该漏极(14b)电性连接,该第二电极层(19)通过该第二导通孔(102)与该连接层(17b)电性连接,该第一绝缘层(15)和该平坦层(16)上设有第一导通孔(101),该连接层(17b)通过该第一导通孔(101)与该漏极(14b)电性连接,该连接层(17b)包括第一部分(171b)和第二部分(172b),该第一部分(171b)设置在该第一导通孔(101)内,并与该漏极(14b)电性连接,该第二部分(172b)设置于该第一导通孔(101)外,该第二电极层(19)通过该第二导通孔(102)与该第二部分(172b)电性连接,所述第一电极层(17a)与所述连接层(17b)彼此分隔位于同一层,所述第一电极层(17a)为公共电极,所述第二电极层(19)为像素电极。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在该第一绝缘层(15)上形成该平坦层(16)后的步骤包括:
在该平坦层(16)上设置透明导电材料层,之后在透明导电材料层上涂布光阻层,通过曝光、显影形成光阻层图案,之后以形成的光阻图案为遮罩对透明导电材料层进行蚀刻以形成该第一电极层(17a)和该连接层(17b);去除光阻层的步骤包括首先利用剥离液去除光阻层,之后利用氧等离子体灰化法去除该第一导通孔(101)内的残留光阻(10a)。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在该平坦层(16)上形成该第一电极层(17a)和该连接层(17b)后的步骤包括:
在该第一电极层(17a)和该连接层(17b)上设置绝缘材料层,之后在绝缘材料层上涂布光阻层,通过曝光、显影形成光阻层图案,之后以形成的光阻图案为遮罩对绝缘材料层进行蚀刻以形成该第二绝缘层(18);去除光阻层的步骤包括首先利用剥离液去除光阻层,之后利用氧等离子体灰化法去除该第一导通孔(101)内的残留光阻(10a)。
6.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在该第一电极层(17a)和该连接层(17b)上形成该第二绝缘层(18)后的步骤包括:
在该第二绝缘层(18)上设置透明导电材料层,之后在透明导电材料层上涂布光阻层,通过曝光、显影形成光阻层图案,之后以形成的光阻图案为遮罩对透明导电材料层进行蚀刻以形成该第二电极层(19);去除光阻层的步骤包括首先利用剥离液去除光阻层,之后利用氧等离子体灰化法去除该第一导通孔(101)内的残留光阻(10a)。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至2任意一项所述的阵列基板。
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