[发明专利]半导体方法和器件

权利要求书

1.一种半导体处理的方法，包括：

在设置在掩模层上方的多个芯轴上方共形地形成间隔件层，所述间隔件层的设置在所述多个芯轴的相邻芯轴的相对侧壁上方的部分限定位于所述部分之间的沟槽；

用牺牲材料填充所述沟槽；

去除所述牺牲材料的位于所述沟槽中的第一部分，从而在所述牺牲材料中形成多个开口；

用第一材料填充所述多个开口；

去除所述牺牲材料的位于所述沟槽中的剩余部分；以及

在去除所述牺牲材料之后去除所述多个芯轴。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在去除所述多个芯轴之后，将由所述第一材料和所述间隔件层限定的图案转印至所述掩模层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，共形地形成所述间隔件层包括使用至少部分原子层沉积来形成所述间隔件层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在共形地形成所述间隔件层之后并且在填充所述沟槽之前，实施各向异性蚀刻工艺，所述各向异性蚀刻工艺暴露所述掩模层的上表面和所述多个芯轴的上表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述沟槽包括：

在所述沟槽中和所述间隔件层上方沉积牺牲材料，其中，所述牺牲材料选自由碳氧化硅、氧化硅和金属氧化物组成的组；以及

去除所述牺牲材料的顶部以暴露所述间隔件层的上表面，其中，在去除所述顶部之后，所述间隔件层的上表面和所述牺牲材料的上表面彼此齐平。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，至少部分使用旋涂沉积或可流动化学汽相沉积来实施所述沉积。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，去除所述牺牲材料的所述第一部分包括：

在所述间隔件层、所述牺牲材料和所述多个芯轴上方形成一个或多个掩模层；

在所述一个或多个掩模层上方形成光刻胶；

图案化所述光刻胶以形成具有第一长度和第一宽度的第一图案；

将所述第一图案转印至所述一个或多个掩模层；以及

选择性地去除由所述第一图案暴露的所述牺牲材料，从而形成所述多个开口的一个或多个。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述一个或多个掩模层包括在所述间隔件层、所述牺牲材料和所述多个芯轴上方依次形成包括碳的第一掩模层和包括碳氧化硅的第二掩模层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一宽度与所述半导体工艺的临界尺寸相同。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，填充所述多个开口包括：

在所述间隔件层和所述牺牲材料上方沉积所述第一材料，其中，所述第一材料填充所述牺牲材料中的所述多个开口，其中，所述第一材料选自由氮化硅、氧化硅和氧化钛组成的组；以及

凹进所述第一材料的顶部以暴露所述间隔件层和所述牺牲材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积所述第一材料使用原子层沉积。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括在去除所述牺牲材料之后并且在去除所述多个芯轴之前，实施各向异性蚀刻工艺以暴露所述掩模层的上表面和所述多个芯轴的上表面。

13.一种形成掩模图案的方法，包括：

在掩模层上方形成多个芯轴；

在所述多个芯轴的侧壁上方形成多个间隔件，其中，位于所述多个芯轴的相邻芯轴的相对侧壁上的间隔件形成位于所述间隔件之间的沟槽；

用牺牲材料填充所述沟槽；

用第一材料替代所述牺牲材料的第一部分；

去除所述牺牲材料的剩余部分；

去除所述多个芯轴；以及

将第一图案从所述间隔件和所述第一材料转印至所述掩模层。