[发明专利]闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质有效
申请号: | 201710703447.9 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN107657984B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 梁冬柳;李志雄;邓恩华;尹慧 | 申请(专利权)人: | 深圳市江波龙电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区科发路8*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 纠错 方法 装置 设备 以及 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种闪存的纠错方法,其特征在于,所述纠错方法包括:
读取闪存的初始硬数据,所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据;
读取所述闪存的调整硬数据,所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据,其中,所述窗口电压值调整至少2次;
根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值;具体地,当所述窗口电压值调整2次时,获取在第一次调整后的窗口电压值下读取的第一调整硬数据;获取在第二次调整后的窗口电压值下读取的第二调整硬数据;根据所述初始硬数据、所述第一调整硬数据以及所述第二调整硬数据进行组合生成的组合硬数据,确定二进制索引数据,所述二进制索引数据为组合硬数据对应的十进制数据;根据所述二进制索引数据确定对数似然比LLR的值;
根据所述对数似然比LLR的值,对所述闪存的初始硬数据进行纠错。
2.如权利要求1所述的纠错方法,其特征在于,所述根据所述初始硬数据、所述第一调整硬数据以及所述第二调整硬数据进行组合生成的组合硬数据,确定二进制索引数据,具体包括:
将所述初始硬数据、所述第一调整硬数据以及所述第二调整硬数据中相同数据位上的数据按指定规则分别进行组合,生成组合硬数据;
根据组合硬数据确定二进制索引数据。
3.如权利要求2所述的纠错方法,其特征在于,所述将所述初始硬数据、所述第一调整硬数据以及所述第二调整硬数据中相同数据位上的数据按指定规则分别进行组合,生成组合硬数据,包括:
将所述初始硬数据中的数据放入所述组合硬数据的第一数据位,将所述第一调整硬数据中与所述初始硬数据中数据位相同的数据放入所述组合硬数据的第二数据位,将所述第二调整硬数据中与所述初始硬数据中数据位相同的数据放入所述组合硬数据的第三数据位,生成组合硬数据;
或者,将所述初始硬数据中第一数据位的数据放入所述组合硬数据的第一数据位,将所述第二调整硬数据中与所述初始硬数据中数据位相同的数据放入所述组合硬数据的第二数据位,将所述第一调整硬数据中与所述初始硬数据中数据位相同的数据放入所述组合硬数据的第三数据位,生成组合硬数据。
4.如权利要求1至3任一项所述的纠错方法,其特征在于,所述根据所述对数似然比LLR的值,对所述闪存的初始硬数据进行纠错,具体包括:
当所述对数似然比LLR的值大于零时,判定所述闪存的内部存储数据为“0”的可能性大于所述闪存的内部存储数据为“1”的可能性;
当所述对数似然比LLR的值小于零时,判定所述闪存的内部存储数据为“1”的可能性大于所述闪存的内部存储数据为“0”的可能性。
5.一种闪存的纠错装置,其特征在于,所述纠错装置包括:
初始数据读取单元,用于读取闪存的初始硬数据,所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据;
调整数据读取单元,用于读取所述闪存的调整硬数据,所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据,其中,所述窗口电压值调整至少2次;
确定单元,用于根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值;具体地,当所述窗口电压值调整2次时,所述确定单元具体包括:
第一获取模块,用于获取在第一次调整后的窗口电压值下读取的第一调整硬数据;
第二获取模块,用于获取在第二次调整后的窗口电压值下读取的第二调整硬数据;
索引数据确定模块,用于根据所述初始硬数据、所述第一调整硬数据以及所述第二调整硬数据进行组合生成的组合硬数据,确定二进制索引数据,所述二进制索引数据为组合硬数据对应的十进制数据;
对数似然比确定模块,用于根据所述二进制索引数据确定对数似然比LLR的值;
纠错单元,用于根据所述对数似然比LLR的值,对所述闪存的初始硬数据进行纠错。
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