[发明专利]闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质

说明书

本发明适用于电子通信技术领域，提供了一种闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，所述纠错方法包括：读取闪存的初始硬数据，所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据；读取所述闪存的调整硬数据，所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据，其中，所述窗口电压值调整至少2次；根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值；根据所述对数似然比LLR的值，对所述闪存的初始硬数据进行纠错。通过上述方法能够提高LDPC的纠错能力。

技术领域

本发明属于电子通信技术领域，尤其涉及一种闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质。

背景技术

Nand闪存广泛地应用于MP3、智能手机、平板电脑等便携式电子产品。为了能够延长闪存芯片的使用寿命，保证用户数据的安全，固态硬盘控制器中设计有纠错模块，对从闪存芯片中读取的数据进行纠错处理，消除数据中的错误。传统上，主流的纠错编码都采用BCH码，这种编码方式计算快速，纠错能力强。然而，随着闪存颗粒的磨损或Data Retention(数据保存)、温度等变化，闪存数据的错误比特数会增加，进而会导致数据ECC(ErrorCorrection Code，纠错码)纠错失败，BCH纠错算法已无法为闪存芯片提供足够的纠错能力。在通讯领域中广泛使用的LDPC(Low Density Parity Check Code，低密度奇偶校验码)凭借其强大的纠错能力开始成为将来闪存纠错发展的新趋势。

闪存设备通过LDPC纠错使用硬判决和软判决之分，闪存控制器从闪存芯片的标准接口中读取到由逻辑‘0’和逻辑‘1’构成的硬数据(Hard Data)，通常闪存数据的错误比特数偏高时，通过硬数据纠错会导致ECC纠错失败，此时则需要利用软判决，设备读取软数据(Soft Data)辅助LDPC纠错。但不同Nand闪存原厂提供的获取软数据的方法都不相同，并且存在诸多限制，这样直接导致LDPC纠错效果不佳，无法保证安全可靠的存储闪存数据的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种闪存的纠错方法、装置、设备以及计算机可读存储介质，以解决现有技术中不同Nand闪存原厂提供的获取软数据的方法不相同且存在诸多限制，导致LDPC纠错效果不佳，无法保证安全可靠的存储闪存数据的问题。

本发明第一方面提供了一种闪存的纠错方法，所述纠错方法包括：

读取闪存的初始硬数据，所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据；

读取所述闪存的调整硬数据，所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据，其中，所述窗口电压值调整至少2次；

根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值；

根据所述对数似然比LLR的值，对所述闪存的初始硬数据进行纠错。

本发明第二方面提供了一种闪存的纠错装置，所述纠错装置包括：

初始数据读取单元，用于读取闪存的初始硬数据，所述初始硬数据为闪存默认的窗口电压值下读取的闪存的硬数据；

调整数据读取单元，用于读取所述闪存的调整硬数据，所述调整硬数据为调整所述闪存的窗口电压值并在调整后的窗口电压值下读取的闪存的硬数据，其中，所述窗口电压值调整至少2次；

确定单元，用于根据所述初始硬数据与所述调整硬数据确定对数似然比LLR的值；

纠错单元，用于根据所述对数似然比LLR的值，对所述闪存的初始硬数据进行纠错。

本发明第三方面提供了一种终端设备，包括：存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述闪存的纠错方法的步骤。