[发明专利]等离子体蚀刻方法有效
| 申请号： | 201710704465.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN108022838B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 石丸亮;宇根聪;森政士 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
1.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对氮化钨膜即WN膜进行蚀刻，其特征在于，
使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及含有碳元素和氧元素的气体，对所述氮化钨膜即WN膜进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
所述含有碳元素和氧元素的气体是CO气体、CO2气体或COS气体。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，
所述含有卤素元素的气体是Cl2气体、BCl3气体、HBr气体或HI气体，
所述含有硅元素的气体是SiF4气体或SiCl4气体。
4.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对氮化钨膜即WN膜进行蚀刻，其特征在于，
使用Cl2气体和SiCl4气体和氧气和CO气体的混合气体、Cl2气体和SiCl4气体和氧气和CO2气体的混合气体或Cl2气体和SiCl4气体和氧气和COS气体的混合气体，对所述氮化钨膜即WN膜进行蚀刻。
5.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻，其特征在于，
使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及COS气体，对所述含有钨元素的膜进行蚀刻。
6.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻，其特征在于，
使用含有硅元素的气体、含有卤素元素的气体、以及含有碳元素和氧元素的气体，对所述含有钨元素的膜进行蚀刻，
所述含有卤素元素的气体是BCl3气体、HBr气体或HI气体。
7.一种等离子体蚀刻方法，使用等离子体对含有钨元素的膜进行蚀刻，其特征在于，
使用Cl2气体和SiCl4气体和氧气和COS气体的混合气体，对所述含有钨元素的膜进行蚀刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
