[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

半导体基底；

第一层间介电层，设于该半导体基底上；

金属垫，设于该第一层间介电层中；

接触自对准结构，设于该第一层间介电层上，该接触自对准结构包含一开口，位于该金属垫正上方；

第二层间介电层，设于该第一层间介电层上；及

接触插塞，贯穿该第二层间介电层，并通过该接触自对准结构的该开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接触自对准结构具有一环状图案，围绕着该开口。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该接触自对准结构具有一矩形轮廓。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该开口为一椭圆形，具有一长轴宽度及一短轴宽度。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该短轴宽度小于或等于该金属垫的一宽度。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接触自对准结构具有一第一部位及一第二部位，该第一部位及该第二部位彼此分离，而该开口介于该第一部位及该第二部位中间。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一部位及该第二部位间的空间小于或等于该金属垫的一宽度。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接触自对准结构包含一钨金属层。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该接触自对准结构另包含一多晶硅层，设于该钨金属层下方。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该接触自对准结构另包含一氮化钛层，设于该多晶硅层下方。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该接触插塞经由该接触自对准结构的该开口，电连接至该金属垫。

12.一种制作半导体结构的方法，包含：

提供一半导体基底；

在该半导体基底上形成一第一层间介电层；

在该第一层间介电层中形成一金属垫；

在该第一层间介电层上形成一接触自对准结构，其中该接触自对准结构包含一开口，为于该金属垫正上方；

在该第一层间介电层上形成一第二层间介电层；及

形成一接触插塞，贯穿该第二层间介电层，并通过该接触自对准结构的该开口。

13.如权利要求10所述的制作半导体结构的方法，其中另包含：

在该第一层间介电层上形成该接触自对准结构前，先于该金属垫及该第一层间介电层上形成一蚀刻停止层；及

在该蚀刻停止层上形成一高介电常数层，其中该接触插塞贯穿该第二层间介电层、该高介电常数层及该蚀刻停止层。

14.如权利要求13所述的制作半导体结构的方法，其中该高介电常数层包含Al₂O₃、HfO₂、ZrO₂或La₂O₃。

15.如权利要求13所述的制作半导体结构的方法，其中该接触自对准结构直接接触该高介电常数层。

16.如权利要求15所述的制作半导体结构的方法，其中该接触自对准结构包含一钨金属层。

17.如权利要求16所述的制作半导体结构的方法，其中该接触自对准结构另包含一多晶硅层，设于该钨金属层下方。

18.如权利要求17所述的制作半导体结构的方法，其中该接触自对准结构另包含一氮化钛层，设于该多晶硅层下方。