[发明专利]控制热阵列的系统和方法有效
申请号: | 201710705400.6 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN107507791B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 菲利普·S·施密特;卡尔·T·斯汪森;约翰·F·莱姆克 | 申请(专利权)人: | 沃特洛电气制造公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B1/02 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 田欣欣;刘思哲 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 阵列 系统 方法 | ||
本发明提供了一种系统和方法。在一个方面,本系统和方法可以计算多个模式的各个模式的时间周期。本系统和方法可以通过相应时间周期的每个模式索引以根据所述模式将电力提供给多个热元件。在另一个方面,本系统和方法可以通过多个模式的每个模式顺序地索引,并将电力施加到索引模式,同时测量索引模式的热元件的电气特性。
本申请是发明名称为“控制热阵列的系统和方法”、申请号为“201280052551.1”、申请日为“2012年08月30日”的申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2011年8月30日提交的序列号为61/528,939和2012年4月19日提交的序列号为61/635,310的临时申请的优先权,其全部内容以引用方式并入本文。本申请还涉及与本申请同时提交且共同转让的名称为“高清晰度加热器和操作方法(High DefinitionHeater and Method of Operation)”、“加热器的高清晰度并行控制系统(HighDefinition Parallel Control Systems for Heaters)”、“热阵列系统(Thermal ArraySystem)”、“热阵列系统(Thermal Array System)”、“热阵列系统(Thermal ArraySystem)”和“控制热阵列的系统和方法(System and Method for Controlling A ThermalArray)”的共同待决申请,其全部内容以引用方式并入本文。
背景技术
本申请大体涉及控制热阵列的系统和方法。
发明内容
在克服相关技术的缺点以及其它限制中,本申请提供了控制热阵列的系统和方法。在一个方面,本系统和方法可以计算多个模式的各个模式的时间周期。本系统和方法可以通过相应时间周期的每个模式索引以根据模式将电力提供给多个热元件。在另一个方面,本系统和方法可以顺序通过多个模式的每个模式索引,并将电力施加到索引模式,同时测量索引模式的热元件的电气特性。
在参照附属于本说明书并且构成其一部分的附图和权利要求阅读以下说明后,对本领域的技术人员而言,本申请的其他目的、特征和优点将变得显而易见。
附图说明
图1a是根据本发明的一种形式的原理构造出的具有调谐层的加热器的局部侧视图;
图1b是根据本发明的原理构造的具有调谐层或调谐器的另一种形式的加热器的分解侧视图;
图1c是一种加热器的透视分解图,根据本发明的原理,绘示了基底加热器的示例性四个(4)区域和调谐加热器的十八个(18)区域;
图1d是根据本发明的原理构造的具有补充调谐层的另一种形式的高清晰度加热器系统的侧视图;
图2是双向热阵列的示意图;
图3a是多并联的热阵列的示意图;
图3b是多并联且双向热阵列的示意图;
图4是多并联且双向热阵列的另一个示意图;
图5是具有可寻址开关的热阵列的示意图;
图6A是绘示一种控制热阵列的方法的流程图;
图6B是绘示6A的控制方法的时序图;
图7A是绘示热阵列的另一种控制方法的流程图;
图7B是所述方法的一个例子所用的四节点拓扑;
图8是绘示一种用于测量热阵列的节点的电气特性的方法的流程图;
图9a是绘示一种用于校准热阵列的方法的流程图;
图9b是绘示一种用于计算热阵列的目标设定点的方法的流程图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沃特洛电气制造公司,未经沃特洛电气制造公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710705400.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种快速拆装的注射头
- 下一篇:一种湿刻蚀装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造