[发明专利]支撑装置、光刻装置和器件制造方法

说明书

一种用于光刻装置的支撑装置(60)，具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30)，所述突起被配置为使得其围绕物体保持件，并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。

本申请是于2014年11月28日进入中国国家阶段、国家申请号为201380028677.X、发明名称为“支撑装置、光刻装置和器件制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年5月29日提出的美国临时申请61/652,582的权益，其公开内容在此通过引用以其整体并入。该申请要求2012年6月29日提出的美国临时申请61/666,348的权益，其公开内容在此通过引用以其整体并入。

技术领域

本发明涉及支撑装置、光刻装置和器件制造方法。

背景技术

光刻装置是将期望图案应用到衬底上的机器，通常应用到衬底的目标部分上。光刻装置可以用于，例如，集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案形成装置，可选地被称为掩模或掩膜版，可以用于生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以转移到衬底上的目标部分(即，包括一个或一些裸片的部分)上。图案的转移通常是通过成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。一般地，单个衬底将包含连续图案化的邻近目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进机，其中每个目标部分是通过一次将整个图案暴露到目标部分上而被辐射的，和所谓的扫描器，其中每个目标部分是通过扫描经过沿着给定方向(“扫描”方向)的辐射束的图案同时同步地扫描与该方向平行或反平行的衬底而被辐射的。还可以通过将图案印到衬底上将来自图案形成装置的图案转移到衬底上。

已经提出将光刻装置中的衬底浸没具有相对高折射率的液体中，例如水，以便于填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中，液体是蒸馏水，尽管可以使用另一种液体。本发明的实施例将参考液体描述。然而，另一种流体可以是合适的，特别是润湿流体、不可压缩流体和/或具有比空气折射率更高的折射率的流体，期望地比水的折射率更高的折射率。排除气体的流体是特别期望的。由于曝光辐射在液体中将具有更短波长，这样做的意义是能够成像更小特征。(液体的效果还可以视为增大系统的有效数值孔径(NA)和还增大焦深。已经提出其他浸没液体，包括具有悬浮在其中的固态颗粒(例如石英)的水或具有纳米颗粒悬浮物的液体(即，具有最大尺寸高达10nm的颗粒)。悬浮颗粒物可以具有或不具有与悬浮在其中的液体相似或相同的折射率。合适的其他液体包括碳氢化合物，诸如芳烃、氟代烃和/或水溶液。

衬底和衬底台浸没液浴(参考，例如，美国专利号4509852)意味着存在必须在扫描曝光期间加速大量液体。这需要额外的或更多强有力的电机，并且液体中的湍流可能导致不期望和不可预知的效果。

在浸没装置中，浸没流体是由流体处理系统、设备结构或装置处理。在一个实施例中流体处理系统可以提供浸没流体，因此该系统是流体供应系统。在一个实施例中流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，因而该系统是流体限制系统。在一个实施例中流体处理系统可以提供用于浸没流体的屏障，因而该系统是屏障构件，诸如流体限制结构。在一个实施例中流体处理系统可以产生或使用气体流，以便例如帮助帮助控制浸没流体的流动和/或其位置。气体流可以形成用于限制浸没流体的密封，因此流体处理结构可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体用作浸没流体。在该实例中流体处理系统可以是液体处理系统。参考前述描述，该段落中关于流体定义的特征可以理解为包括关于液体定义的特征。