[发明专利]发光二极管结构及发光单元

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括：

一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；

一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；

一发光二极管芯片，具有一发光面，所述发光二极管芯片设置于所述电极层上；

一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及所述发光二极管芯片；

一荧光转换层，设置于所述发光二极管芯片的所述发光面上方，并且所述荧光转换层具有远离所述发光二极管芯片的一出光面，所述出光面包含有一中央区域及围绕于所述中央区域的一周边区域；以及

一起透滤光层，设置于所述出光面的所述中央区域上，并且所述起透滤光层朝向所述发光二极管芯片的所述发光面正投影所形成的一投影区域，其占所述发光面面积的30％至90％；

其中，所述起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长是介于450纳米至480纳米，并且所述起透滤光层的陡度为5纳米至50纳米之间；所述发光二极管结构在色温5500K以下且在120度的可视角范围内的色温差距小于300K。

2.依据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述起透滤光层是黏着或镀设于所述出光面的所述中央区域上。

3.依据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构进一步包括一透明基材，并且所述透明基材设置于所述起透滤光层上，所述透明基材与所述起透滤光层的外侧缘彼此切齐。

4.依据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构进一步包括设置于所述周边区域的一硅胶层，并且所述硅胶层包覆于所述起透滤光层的外侧缘及所述透明基材的外侧缘，所述硅胶层的顶缘与所述透明基材的顶缘切齐。

5.依据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述起透滤光层用以将来自所述中央区域的至少部分蓝光反射回所述荧光转换层中。

6.依据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述起透滤光层包含多个相互堆栈排列的一高折射率材料与一低折射率材料，并且所述高折射率材料为五氧化二铌(Nb₂O₅)、二氧化钛(TiO₂)、或五氧化二钽(Ta₂O₅)，所述低折射率材料为二氧化硅(SiO₂)。

7.依据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述投影区域位于所述发光面的正中央。

8.依据权利要求1至7中任一项所述的发光二极管结构，其特征在于，所述起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长为450纳米，所述起透滤光层的陡度为7纳米，并且所述投影区域占所述发光面面积的50％至70％。

9.依据权利要求1至7中任一项所述的发光二极管结构，其特征在于，所述起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长为460纳米，所述起透滤光层的陡度为34纳米，并且所述投影区域占所述发光面面积的40％至60％。

10.一种发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：

一发光二极管芯片，具有一发光面；

一荧光转换层，设置于所述发光二极管芯片的所述发光面上方，并且所述荧光转换层具有远离所述发光二极管芯片的一出光面，所述出光面包含有一中央区域及围绕于所述中央区域的一周边区域；以及

一起透滤光层，设置于所述出光面的所述中央区域上，并且所述起透滤光层朝向所述发光二极管芯片的所述发光面正投影所形成的一投影区域，其占所述发光面面积的30％至90％；

其中，所述起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长是介于450纳米至480纳米，并且所述起透滤光层的陡度为5纳米至50纳米之间；所述发光单元在色温5500K以下且在120度的可视角范围内的色温差距小于300K。