[发明专利]发光二极管结构及发光单元

说明书

一种发光二极管结构及发光单元，所述发光二极管结构包含基板、设置于基板相反两表面的电极层与焊垫层、设置于电极层上的发光二极管芯片、设置于发光二极管芯片发光面上的荧光转换层、及起透滤光层。所述焊垫层电性连接于电极层及发光二极管芯片，所述荧光转换层具有远离发光二极管芯片的一出光面。起透滤光层设置于出光面上，起透滤光层朝向发光二极管芯片的发光面正投影所形成的一投影区域，其占发光面面积的30％至90％。起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长介于450～480纳米，并且起透滤光层的陡度为5～50纳米之间。借此，发光二极管结构(或发光单元)在可视角范围内的色温差距能有效地降低。

技术领域

本发明涉及一种发光单元，尤其涉及一种能改善(不同角度)发光色温差距的发光二极管结构及发光单元。

背景技术

现有的发光二极管结构包含发光二极管芯片及设置于上述发光二极管芯片上的荧光转化层。其中，所述发光二极管芯片在不同发光角度下，经由荧光转化层后出射的光线颜色不同，而造成黄晕现象。进一步地说，发光二极管芯片经由荧光转换层外侧区域所射出的蓝色光线，在大角度入射下，所走过的荧光转换层的路程较小角度较大，被转换成黄色荧光的机率就会增加，从而产生黄晕现象。

于是，本发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。

发明内容

本发明实施例在于提供一种发光二极管结构及发光单元，其能有效地改善现有发光二极管结构角色温(color over angle，COA)一致性较差的缺失。

本发明实施例公开一种发光二极管结构，包括：一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；一发光二极管芯片，具有一发光面，所述发光二极管芯片设置于所述电极层上；一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及所述发光二极管芯片；一荧光转换层，设置于所述发光二极管芯片的所述发光面上方，并且所述荧光转换层具有远离所述发光二极管芯片的一出光面，所述出光面包含有一中央区域及围绕于所述中央区域的一周边区域；以及一起透滤光层，设置于所述出光面的所述中央区域上，并且所述起透滤光层朝向所述发光二极管芯片的所述发光面正投影所形成的一投影区域，其占所述发光面面积的30％至90％；其中，所述起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长是介于450纳米(nm)至480纳米，并且所述起透滤光层的陡度为5纳米至50纳米之间。

优选地，所述起透滤光层是黏着或镀设于所述出光面的所述中央区域上。

优选地，所述发光二极管结构进一步包括一透明基材，并且所述透明基材设置于所述起透滤光层上，所述透明基材与所述起透滤光层的外侧缘彼此切齐。

优选地，所述发光二极管结构进一步包括设置于所述周边区域的一硅胶层，并且所述硅胶层包覆于所述起透滤光层的外侧缘及所述透明基材的外侧缘，所述硅胶层的顶缘与所述透明基材的顶缘切齐。

优选地，所述起透滤光层用以将来自所述中央区域的至少部分蓝光反射回所述荧光转换层中。

优选地，所述起透滤光层包含多个相互堆栈排列的一高折射率材料与一低折射率材料，并且所述高折射率材料为五氧化二铌(Nb₂O₅)、二氧化钛(TiO₂)、或五氧化二钽(Ta₂O₅)，所述低折射率材料为二氧化硅(SiO₂)。

优选地，所述投影区域位于所述发光面的正中央，并且所述发光二极管结构在色温5500K以下且在120度的可视角范围内的色温差距小于300K。

优选地，所述起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长为450纳米，所述起透滤光层的陡度为7纳米，并且所述投影区域占所述发光面面积的50％至70％。