[发明专利]引线框制造工艺有效
申请号: | 201710709326.5 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN107452633B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 林英洪 | 申请(专利权)人: | 林英洪 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 44483 佛山知正知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 尧娟 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 制造 工艺 | ||
1.引线框制造工艺,其特征是,包括以下步骤:
线路转移:根据引线框的线路设计,在基材表面制成抗蚀刻、抗电镀的保护层,保护层覆盖基材的不需要被电镀且不需要被蚀刻的区域,以露出基材的需要被电镀的区域和需要被蚀刻的区域;
电镀保护:在基材的需要被蚀刻的区域制成抗电镀的电镀遮挡层,电镀遮挡层覆盖基材的需要被蚀刻的区域;
电镀:对基材的需要被电镀的区域进行电镀以形成覆盖该区域的抗蚀刻的电镀层;
显蚀刻区域:从基材上剥离电镀遮挡层;
蚀刻:对基材的需要被蚀刻的区域进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,电镀遮挡层由可剥胶制成。
3.根据权利要求2所述的引线框制造工艺,其特征是,电镀遮挡层经印刷制成。
4.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,保护层由感光油墨或感光干膜经曝光、显影制成。
5.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,保护层由油墨经印刷制成。
6.根据权利要求3或5所述的引线框制造工艺,其特征是,印刷方式为喷印。
7.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,蚀刻方式为碱性蚀刻。
8.根据权利要求1所述的引线框制造工艺,其特征是,蚀刻步骤之后,还包括以下步骤:
去膜:剥离保护层,得到引线框;
粗化:对引线框表面进行粗化处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林英洪,未经林英洪许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710709326.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率半导体器件及其制造方法
- 下一篇:人脸识别芯片的封装结构及封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造