[发明专利]曝光光罩以及光阻材料图形化方法在审
申请号: | 201710709555.7 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107367908A | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 李燕 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,黄进 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 以及 材料 图形 方法 | ||
1.一种曝光光罩,其特征在于,包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域,所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置,所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域;其中,第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率;
其中,M为大于2的整数,n=1、2、3、…、M-1。
2.根据权利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,第1至第M个子曝光区域的曝光分辨率等比递减。
3.根据权利要求2所述的曝光光罩,其特征在于,第n+1个子曝光区域的曝光分辨率相比于第n个子曝光区域的曝光分辨率减小15%~25%。
4.根据权利要求3所述的曝光光罩,其特征在于,第n+1个子曝光区域的曝光分辨率相比于第n个子曝光区域的曝光分辨率减小20%。
5.根据权利要求2所述的曝光光罩,其特征在于,所述第1个子曝光区域的曝光分辨率为曝光设备的曝光分辨率的60%,所述第M个子曝光区域的曝光分辨率为曝光设备的曝光分辨率的10%。
6.根据权利要求1所述的曝光光罩,其特征在于,M取值范围是6~10。
7.根据权利要求1-6任一所述的曝光光罩,其特征在于,所述第n个子曝光区域中设置有多个相互间隔排布的第一曝光窗口,所述第n+1个子曝光区域中设置有多个相互间隔排布的第二曝光窗口,所述第一曝光窗口的曝光面积大于所述第二曝光窗口的曝光面积。
8.根据权利要求7所述的曝光光罩,其特征在于,所述第一曝光窗口的形状为方形或圆形,所述第二曝光窗口的形状为方形或圆形。
9.根据权利要求7所述的曝光光罩,其特征在于,所述第n个子曝光区域中的第一曝光窗口和所述第n+1个子曝光区域中的第二曝光窗口相互交错排布。
10.一种光阻材料图形化方法,其特征在于,包括步骤:
S1、在衬底基板上涂覆光阻材料层;
S2、应用第一曝光光罩,对所述光阻材料层进行曝光;
S3、将所述光阻材料层显影形成图形化的第一光阻结构层;
S4、在所述第一光阻结构层上,应用第二曝光光罩,针对需要调整坡度角的指定位置进行曝光;所述第二曝光光罩为权利要求1-9任一所述的曝光光罩,通过所述第二曝光光罩的第二曝光区域对所述指定位置进行二次曝光;
S5、将所述第一光阻结构层显影,形成图形化的第二光阻结构层。
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