[发明专利]曝光光罩以及光阻材料图形化方法

说明书

技术领域

本发明属于显示器技术领域，涉及一种曝光光罩，还涉及使用前述曝光光罩的光阻材料图形化方法。

背景技术

目前，在显示基板制作过程中一般采用阵列工艺在衬底基板上形成图案化阵列，从而得到显示基板；这些显示基板种类比较多，例如常见的薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板、有机发光二极管阵列基板或低温多晶硅阵列基板等。

显示基板通常采用多次构图工艺制备形成，每一次构图工艺一般包括成膜、涂胶、曝光、显影以及刻蚀的步骤，即先利用成膜工艺在衬底基板上形成一层基材薄膜，然后利用涂胶工艺在该基材薄膜上涂布光刻胶形成光胶层，并在曝光工艺中利用曝光机和掩膜板(MASK)对光胶层进行曝光，使光胶层中曝光的部分发生变性，接着在显影工艺中通过显影液对曝光后的光胶层进行显影，以除去光胶层中发生变性的部分，使光胶层图案化，形成光刻胶掩膜层；最后以光刻胶掩膜层为掩膜，利用刻蚀工艺刻蚀基材薄膜，使基材薄膜图案化，形成与光刻胶掩膜层的图形一致的膜层结构。

显示基板中的一些结构层，其材料使用的是光阻材料，光阻材料层的构图工艺一般包括涂胶、曝光以及显影的步骤即可。如图1所示，光阻材料的图形化工艺包括：(1)、如图1-(a)所示，首先在衬底基板1上涂覆光阻材料层2；(2)、如图1-(b)所示，使用曝光光罩3，对所述光阻材料层2进行曝光；(3)、如图1-(c)所示，将所述光阻材料层2显影后形成图形化的光阻结构层4。其中，所述光阻结构层4具有一定的坡度角(taper angle)α，所述坡度角α定义为所述光阻结构层4的侧面与底面的夹角。

如图2所示，所述光阻结构层4的坡度角α过大时，有可能会导致其上的上部膜层5出现断裂的情况。在对应需要设置上部膜层5的位置，所述光阻结构层4坡度角α应当要适当减小，通常减小到40°～60°的范围内。现有技术中，通过曝光显影形成的光阻结构层4，若要变更其坡度角，通常使用高温烘烤(Hard Bake)工艺，通过烘烤使得坡度角α减小。但是，利用高温烘烤的方式，若光阻结构层4之下的下部膜层为热敏感材料时，此时使用高温烘烤以减小坡度角α将受到很大的限制。另外，使用高温烘烤的方式，整个光阻结构层4的各个位置的坡度角α都相应的发生变化，无法做到只控制减小指定位置的坡度角α，然而，有一些位置的坡度角α可能是不需要减小或者是减小了反而效果不佳。

因此，现有技术有待于改进和发展。

发明内容

鉴于现有技术存在的不足，本发明提供了一种曝光光罩，该曝光光罩可以对图形化的光阻结构层进行二次曝光、显影，实现在指定位置对光阻结构层的坡度角(taper angle)进行变更调整。

为了达到上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种曝光光罩，其包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M-1。

具体地，第1至第M个子曝光区域的曝光分辨率等比递减。

具体地，第n+1个子曝光区域的曝光分辨率相比于第n个子曝光区域的曝光分辨率减小15％～25％。

具体地，第n+1个子曝光区域的曝光分辨率相比于第n个子曝光区域的曝光分辨率减小20％。

具体地，所述第1个子曝光区域的曝光分辨率为曝光设备的曝光分辨率的60％，所述第M个子曝光区域的曝光分辨率为曝光设备的曝光分辨率的10％。

具体地，M取值范围是6～10。

具体地，所述第n个子曝光区域中设置有多个相互间隔排布的第一曝光窗口，所述第n+1个子曝光区域中设置有多个相互间隔排布的第二曝光窗口，所述第一曝光窗口的曝光面积大于所述第二曝光窗口的曝光面积。

具体地，所述第一曝光窗口的形状为方形或圆形，所述第二曝光窗口的形状为方形或圆形。

具体地，所述第n个子曝光区域中的第一曝光窗口和所述第n+1个子曝光区域中的第二曝光窗口相互交错排布。

本发明还提供了一种光阻材料图形化方法，其包括步骤：

S1、在衬底基板上涂覆光阻材料层；

S2、应用第一曝光光罩，对所述光阻材料层进行曝光；

S3、将所述光阻材料层显影形成图形化的第一光阻结构层；