[发明专利]一种阵列基板及该阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201710709567.X | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN107479280A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 赵阳;陈剑鸿 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及该阵列基板的制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
目前,随着液晶显示器分辨率的不断提高,单个像素的尺寸越来越小,这就使得像素电极与数据线之间的距离越来越小,甚至对于超高解析度的面板来说,为了保证足够的开口率以及液晶电容的大小,像素电极只能与数据线交叠或者部分重叠。
本申请的发明人在长期的研究中发现,目前的显示面板结构,像素电极容易受到数据线产生的电场耦合影响,从而显示面板显示的画面容易发生串扰(Crosstalk)现象。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及该阵列基板的制备方法,能够减少阵列基板中像素电极受到数据线电场的干扰。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,该阵列基板包括:
衬底基板;
设置在衬底基板上的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的源极电连接的数据线、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极;
其中,所述数据线与所述像素电极分别设置在不同层中,所述数据线与所述像素电极所在层之间进一步设有导电透明层,所述数据线、所述导电透明层、所述像素电极层叠设置且相互之间绝缘。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板的制备方法,该方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的源极电连接的数据线、导电透明层、与所述薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极;
其中,所述数据线与所述像素电极分别设置在不同层中,所述导电透明层位于所述数据线与所述像素电极所在层之间,所述数据线、所述导电透明层、所述像素电极层叠设置且相互之间绝缘。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明中的阵列基板通过在数据线与像素电极所在层之间设置导电透明层,导电透明层起到金属屏蔽作用,能够减轻数据线对像素电极产生的电场干扰。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。其中:
图1是本发明阵列基板一实施方式的俯面结构示意图;
图2是图1中阵列基板沿A-B方向的部分剖面结构示意图;
图3是图1中阵列基板在一应用场景下沿图1中A-B方向的部分剖面结构示意图;
图4是本发明阵列基板另一实施方式沿图1中A-B方向的部分剖面结构示意图。
图5是本发明阵列基板的制备方法一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参阅图1和图2,图1是本发明阵列基板一实施方式的俯面结构示意图,图2是图1中阵列基板沿A-B方向的部分剖面结构示意图。该阵列基板包括:衬底基板100、薄膜晶体管200、数据线300、像素电极400以及导电透明层500。
衬底基板100具有优良的光学性能,较高的透明度和较低的反射率例如,可采用玻璃材料制成。
薄膜晶体管200的源极201与数据线300电连接、薄膜晶体管200的漏极202与像素电极400电连接。当薄膜晶体管200被打开时,数据线300输入数据信号至源极201,并经过漏极201输入像素电极400。
数据线300与像素电极400分别设置在不同层中,一般而言,数据线300与薄膜晶体管200的源极201位于同一层,采用相同的金属材料制成。导电透明层500位于数据线300与像素电极400所在层之间,由于导电透明层500对像素电极400产生屏蔽作用,因此,其可减少数据线300对像素电极400产生的电场干扰。
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