[发明专利]紫外光复合光栅及等离子装置

说明书

本揭露有关于一种紫外光复合光栅及等离子装置。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，及第二格栅设有多个第二穿孔，且第一穿孔及第二穿孔是交错设置。第一格栅是由不透光材料所制成，且第二格栅是由滤光材料所制成。紫外光复合光栅可滤除波长小于180nm的紫外光。

技术领域

本揭露是有关一种紫外光复合光栅，且特别是提供一种适用于等离子装置的紫外光复合光栅。

背景技术

半导体材料的发展驱使半导体装置的大幅成长。为了提升半导体装置的装置密度与效能，并降低其成本，半导体装置中各层薄膜的堆叠、表面性质与结构设计均是被积极地研究发展。为了形成不同的设计结构，蚀刻制程是常用的制程技术，其中蚀刻制程包含覆盖光阻层至半导体装置上，以避免蚀刻剂侵蚀被覆盖的区域。于蚀刻制程后，为了沉积及/或形成接续的薄膜，光阻层是进一步通过等离子处理移除。

发明内容

根据本揭露的一态样，提出一种紫外光复合光栅。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅，其中第二格栅对准并平行于第一格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，且第二格栅设有多个第二穿孔。这些第一穿孔错开第二穿孔。第一格栅是由不透光材料所制成。第二格栅是由绿光材料所制成，且此滤光材料可滤除波长小于180nm的紫外光。

根据本揭露的另一态样，提出一种等离子装置。此等离子装置包含真空腔体、加热装置、紫外光复合光栅、及射频线圈。真空腔体的顶端设有气体入口。加热装置是配置以加热半导体晶圆，且加热装置设置于真空腔体的底端。紫外光复合光栅设置于气体入口及加热装置之间，且紫外光复合光栅平行于加热装置的加热面。紫外光复合光栅的垂直投影面积实质大于或等于半导体晶圆的垂直投影面积。此紫外光复合光栅包含上格栅及下格栅。下格栅对准并平行于上格栅。上格栅设有多个第一穿孔，且下格栅设有多个第二穿孔，其中第一穿孔错开第二穿孔。上格栅及下格栅的一者是由不透光材料所制成，且另一者是由滤光材料所制成，其中滤光材料可滤除波长小于180nm的紫外光。射频线圈设置于气体入口及紫外光复合光栅之间。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。

图1A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；

图1B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图1A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；

图2A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；

图2B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图2A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；

图3A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；

图3B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图3A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；

图4A是绘示根据本揭露的一些实施例的紫外光复合光栅的立体示意图；

图4B是绘示根据本揭露的一些实施例沿着图4A的剖切线A-A’剖切的紫外光复合光栅的剖面示意图；

图5A是绘示根据本揭露的一些实施例的等离子装置的剖面示意图；

图5B是绘示根据本揭露的一些实施例的图5A的等离子装置产生等离子时，紫外光复合光栅的剖面示意图。

具体实施方式