[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区，所述衬底的第一区上具有第一鳍部，位于所述衬底上的隔离结构，所述隔离结构覆盖所述第一鳍部的部分侧壁；

形成横跨所述第一鳍部的第一伪栅结构，所述第一伪栅结构位于部分隔离结构上，且覆盖所述第一鳍部的部分侧壁和顶部表面；

在所述第一伪栅结构的侧壁形成第一侧墙；

在所述第一伪栅结构和第一侧墙两侧的第一鳍部内分别形成第一源漏凹槽；

在所述第一源漏凹槽的侧壁和底部形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成填充所述第一源漏凹槽的第一源漏掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为30埃～200埃。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层的材料包括硅、锗、碳化硅或硅锗。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层的形成工艺包括外延生长工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层具有掺杂离子，且所述掺杂离子浓度为8.0E20atom/cm³～1.8E21atom/cm³。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂层的形成工艺包括外延生长工艺。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一伪栅结构之前，还包括：在所述隔离结构上形成覆盖所述第一鳍部部分侧壁和顶部表面的伪栅氧化层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括第二区，所述衬底的第二区上具有第二鳍部；所述隔离结构还覆盖所述第二鳍部的部分侧壁；所述伪栅氧化层还覆盖所述第二鳍部的侧壁和顶部表面；形成横跨所述第二鳍部的第二伪栅结构，所述第二伪栅结构位于部分隔离结构上，且覆盖所述第二鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述第二伪栅结构的侧壁形成第二侧墙；在所述第二伪栅结构和第二侧墙两侧的第二鳍部内分别形成第二源漏凹槽；在所述第二源漏凹槽内填充第二源漏掺杂层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一源漏凹槽的侧壁和底部形成第一半导体层之前，还包括：在所述第二源漏凹槽的侧壁和底部形成掩膜层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为10埃～40埃。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的形成工艺包括沉积工艺或氧化工艺。

13.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一半导体层之后，还包括：去除所述掩膜层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜层之后，还包括：在所述第一半导体层上、第二源漏凹槽的侧壁和底部还形成第二半导体层。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二半导体层的厚度为10埃～80埃。