[发明专利]制造具有改进的漏极中的金属落置的ESD FINFET的系统和方法有效
| 申请号： | 201710711927.X | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN108010967B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李宗吉;谢东衡;杨宝如;张永丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 具有 改进 中的 金属 esd finfet 系统 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在包括第一区域和第二区域的有源区上方形成芯轴，其中，保留所述第一区域，从而用于形成鳍式场效应晶体管的源极组件，保留所述第二区域，从而用于形成所述鳍式场效应晶体管的漏极组件，并且实施形成所述芯轴，从而使得将所述芯轴的形成在所述第二区域上方的部分断裂成第一部分和通过间隙与所述第一部分分离的第二部分；
在所述芯轴的相对两侧上形成间隔件；
使用所述间隔件来限定从所述有源区处向上突出的鳍，其中，所述第二区域的对应于所述间隙的部分没有形成在其上方的所述鳍；以及
在所述第一区域中外延生长所述源极组件以及在所述第二区域中外延生长所述漏极组件，其中，所述源极组件外延生长在所述鳍上且在所述第一区域中，并且所述漏极组件的至少一部分外延生长在所述第二区域的没有所述鳍的所述部分上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍式场效应晶体管包括静电放电(ESD)器件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域在所述芯轴延伸的方向上比所述第一区域更长。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二区域是所述第一区域的至少两倍长。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述芯轴包括：
接收包括跨越所述第一区域和所述第二区域的连续芯轴的集成电路(IC)布局图；以及
修改所述集成电路布局图，使得将所述芯轴的形成在所述第二区域上方的所述部分断裂成所述第一部分和所述第二部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述外延生长，从而使得所述源极组件包括捕获在其中的比所述漏极组件更多的空气。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述漏极组件生长为具有比所述源极组件更平滑的上表面。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述外延生长之前：
形成限定包括所述间隙的开口的光刻胶层；以及
穿过所述开口实施注入工艺。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述外延生长之前：在所述第一区域和所述第二区域上方形成介电层，并且所述注入工艺包括将离子注入到所述介电层的被所述开口暴露的部分中。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述漏极组件的部分上形成导电接触件，所述漏极组件的所述部分外延生长在所述第二区域的没有所述鳍的所述部分上。
11.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体层的对应于鳍式场效应晶体管的源极的第一区域上方以及所述半导体层的对应于所述鳍式场效应晶体管的漏极的第二区域上方形成芯轴，所述第二区域比所述第一区域更长，其中，形成在所述第一区域上方的所述芯轴是连续的，而形成在所述第二区域上方的所述芯轴分成第一部分和与所述第一部分间隔开的第二部分；
至少部分地利用所述芯轴，形成从所述半导体层处向上突出鳍结构；
在所述鳍结构上且在所述第一区域中外延生长所述鳍式场效应晶体管的所述源极的至少一部分；以及
在所述半导体层上且在所述第二区域中外延生长所述鳍式场效应晶体管的所述漏极的至少一部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述芯轴包括：
接收包括延伸穿过所述第一区域和所述第二区域的连续芯轴的集成电路(IC)布局图；以及
修改所述集成电路布局图，包括将所述连续芯轴分成第一部分和位于所述第二区域中的第二部分。
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