[发明专利]制造具有改进的漏极中的金属落置的ESD FINFET的系统和方法

说明书

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法。在包括第一区域和第二区域的有源区上方形成芯轴。保留第一区域和第二区域，从而用于分别形成FinFET的源极和漏极。将芯轴的形成在第二区域上方的部分破坏成第一部分和通过间隙与第一部分分离的第二部分。在芯轴的相对侧上形成间隔件。使用间隔件，限定鳍。鳍从有源区外向上突出。第二区域的对应于间隙的部分没有形成在其上方的鳍。在第一区域中且在鳍上外延生长源极。在第二区域的没有鳍的部分上外延生长漏极的至少一部分。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体产业已经进入到纳米技术工艺节点来追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本。随着这种进展的发生，来自制造和设计两者的问题的挑战已经导致了三维设计的发展，诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)器件。典型的FinFET器件被制造为具有从衬底延伸的薄“鳍”(或鳍式结构)。鳍通常包括硅并且形成了晶体管器件的主体。晶体管的沟道形成在这种垂直的鳍内。提供位于鳍上方(例如，包裹鳍)的栅极。这种类型的栅极允许更好地控制沟道。FinFET器件的其他优势包括减少短沟道效应和更高的电流。

然而，传统的FinFET器件仍然可能具有某些缺点。一个缺点是，对于用于静电放电(ESD)保护的FinFET器件，漏极区远远宽于源极区(并且宽于其他非ESD类型的FinFET器件的漏极区)。较长的漏极位置可能导致差的外延生长，这可能导致金属接触落置(landing)问题。例如，应形成在ESD漏极位置上的金属接触件实际上可能具有与ESD漏极位置的连接问题。因此ESD漏极位置和金属接触件之间的不良连接降低了器件性能并且甚至可能导致器件故障。

因此，虽然现有的FinFET器件及其制造通常已经满足它们的预期目的，但是它们不是在每个方面都完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在包括第一区域和第二区域的有源区上方形成芯轴，其中，保留所述第一区域，从而用于形成鳍式场效应晶体管的源极组件，保留所述第二区域，从而用于形成所述鳍式场效应晶体管的漏极组件，并且实施形成所述芯轴，从而使得将所述芯轴的形成在所述第二区域上方的部分断裂成第一部分和通过间隙与所述第一部分分离的第二部分；在所述芯轴的相对两侧上形成间隔件；使用所述间隔件来限定从所述有源区处向上突出的鳍，其中，所述第二区域的对应于所述间隙的部分没有形成在其上方的所述鳍；以及在所述第一区域中外延生长所述源级组件以及在所述第二区域中外延生长所述漏极组件，其中，所述源级组件外延生长在所述鳍上且在所述第一区域中，并且所述漏极组件的至少一部分外延生长在所述第二区域的没有所述鳍的所述部分上。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体层的对应于鳍式场效应晶体管的源极的第一区域上方以及所述半导体层的对应于所述鳍式场效应晶体管的漏极的第二区域上方形成芯轴，所述第二区域比所述第一区域更长，其中，形成在所述第一区域上方的所述芯轴是连续的，而形成在所述第二区域上方的所述芯轴分成第一部分和与所述第一部分间隔开的第二部分；至少部分地利用所述芯轴，形成从所述半导体层处向上突出鳍结构；在所述鳍结构上且在所述第一区域中外延生长所述鳍式场效应晶体管的所述源级的至少一部分；以及在所述半导体层上且在所述第二区域中外延生长所述鳍式场效应晶体管的所述漏极的至少一部分。

根据本发明的又一个方面，提供了一种半导体器件，包括：栅极组件；源级组件，设置在所述栅极组件的第一侧上，其中，所述源级组件包括突出于半导体层的多个鳍结构和生长在所述鳍结构上的第一外延层；以及漏极组件，设置在所述栅极组件的第二侧上，所述第二侧与所述第一侧相对，其中，所述漏极组件包括生长所述半导体层的部分上的第二外延层，所述半导体层的所述部分没有突出的所述鳍结构。

附图说明