[发明专利]一种气体扩散装置有效

专利信息
申请号: 201710716215.7 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN107587117B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 王杲祯 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 气体 扩散 装置
【说明书】:

发明实施例提供一种气体扩散装置包括盖板、第一扩散部、第二扩散部。所述第一扩散部与所述盖板配合形成第一扩散空间以及与所述第一扩散空间连通的进气口。所述第二扩散部与所述盖板配合形成第二扩散空间以及与所述第二扩散空间连通的出气口,所述第二扩散空间与所述第一扩散空间连通,以使得从所述进气口进入的气体经所述第一扩散空间和所述第二扩散空间传输后从所述出气口输出。其中在从所述进气口到所述出气口的方向上,所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小,而所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度先逐渐变大,后逐渐变小。通过上述方式,本发明能够提高气体均匀扩散的效率,提升气体的利用率。

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域,特别是涉及一种气体扩散装置。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有成本低,视角宽,对比度高,可实现柔性等优点,得到极大的关注。

OLED显示器件为实现其柔性显示的功能,需要进行薄膜封装(TFE)。TFE利用成膜设备,将气体例如N2,N2O,SiH4,NH3,HMDSO,TMA等通入腔室进行反应。TFE膜层的质量直接影响水气的侵入率,评价膜层质量的参数包括膜的均一性,厚度,表面平整度,致密性等。气体能否均匀的扩散,对膜层的表面平整度,致密性,均一性等成膜质量有直接的影响。目前,现有的气体扩散装置结构比较复杂而且扩散效果不理想,因此容易造成镀膜质量不理想。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种气体扩散装置,能够解决现有技术中气体扩散装置结构复杂且扩散不均匀等问题。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种气体扩散装置包括盖板、第一扩散部、第二扩散部。所述第一扩散部与所述盖板配合形成第一扩散空间以及与所述第一扩散空间连通的进气口。所述第二扩散部与所述盖板配合形成第二扩散空间以及与所述第二扩散空间连通的出气口,所述第二扩散空间与所述第一扩散空间连通,以使得从所述进气口进入的气体经所述第一扩散空间和所述第二扩散空间传输后从所述出气口输出。其中在从所述进气口到所述出气口的方向上,所述第一扩散部与所述盖板之间的间隙高度逐渐变小,而所述第二扩散部与所述盖板之间的间隙高度先逐渐变大,后逐渐变小。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过两次扩散,在从进气口到出气口的方向上,第一扩散部与盖板之间的间隙高度逐渐变小,而第二扩散部与盖板之间的间隙高度先逐渐变大,后逐渐变小,第一扩散部与盖板之间的间隙高度逐渐变小有利于气体在第一扩散空间上升流动且进行第一次较充分扩散,而在第二扩散空间内均匀融合后再充分扩散从而输出均匀气体,能够提高气体均匀扩散的效率,提升气体的利用率。

附图说明

图1是本发明气体扩散实施例的侧视结构示意图;

图2是本发明气体扩散实施例中的中心区域以及两侧与盖板之间间隙高度变化示意图;

图3是本发明气体扩散实施例的左视结构示意图;

图4是本发明气体扩散实施例的第一扩散部与第二扩散部俯视结构示意图。

具体实施方式

参阅图1,本发明气体扩散装置实施例包括盖板11、第一扩散部12以及第二扩散部13。其中第一扩散部12与盖板11配合形成第一扩散空间121以及与第一扩散空间121连通的进气口122。第二扩散部13与盖板11配合形成第二扩散空间131以及与第二扩散空间131连通的出气口132,第二扩散空间131与第一扩散空间121连通,以使得从进气口122进入的气体经第一扩散空间121和第二扩散空间131传输后从出气口132输出。

其中在从进气口122到出气口132的方向上,第一扩散部12与盖板11之间的间隙高度D逐渐变小,而第二扩散部13与盖板11之间的间隙高度H先逐渐变大,后逐渐变小。

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